1 中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083
2 中国科学院上海技术物理研究??功能材料与器件研究中心,上海,200083
对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象.通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值.实验结果还表明: HgCdTe外延层与晶格失配的衬底之间存在着倾角,该倾角随失配度的增大而增大;当衬底失配度较小时,非对称倒易点二维图显示外延层并不处于全应变状态,而是处于应力部分释放状态;相反,当外延层晶格失配产生的应?θ渴头攀?外延层包含着较大的失配位错,摇摆曲线半峰宽展宽较大.
Cd1-yZnyTe衬底 倒易点二维图 失配位错 摇摆曲线半峰宽 HgCdTe HgCdTe Cd 1-yZn yTe substrate reciprocal lattice mapping misfit dislocation FWHM
