模拟研究了一种在均匀慢波结构后增加渐变慢波结构段的太赫兹过模表面波振荡器,获得了输出功率和模式纯度的显著提高。首先根据S参数方法,研究分析了这种复合高频结构中TM01模的谐振特性。然后采用2.5维PIC(Particle-in-cell)软件UNIPIC,模拟研究了振荡器输出性能随渐变慢波结构周期数的变化关系。结果表明：随着周期数的增加,输出太赫兹波中的TM02和TM03等高次模成分降低,TM01模的功率比例增大至80%以上；选择合适长度的渐变慢波结构,能使得器件输出功率增大50%。

初步研制了一种用于300~400 GHz频段的亚毫米波大功率脉冲探测器。基于强电场下的热电子效应，将n型硅探测芯片置入波导WR10的宽边，构成了探测器的过模探测模块。采用光刻和电镀工艺完成了探测芯片的加工，实现了很好的欧姆接触和尺寸精度。对集成的探测器样机进行了亚毫米波大功率脉冲测试和电压驻波比测量。结果表明: 探测器样机的响应时间快达ps量级，相对灵敏度约为0.46 kW-1，电压驻波比小于2.4，最大承受功率不小于数十W，与模拟结果符合得较好，满足亚毫米波大功率脉冲的直接探测需求。

采用数值模拟和理论分析方法,研究了圆波导内置n-Si探测结构对X波段几种常用电磁波模式的电场响应。首先基于强电场下的热载流子效应,设计了一种利用n-Si进行高功率脉冲实时测量的圆波导探测结构。接着采用三维并行电磁场时域有限差分方法,模拟研究并分析了TE11(两种极化方向)、TM01和TE01模式作用下圆波导探测结构内的横向电场分布特点。结果表明：不同模式下探测芯片内的横向电场均以径向电场为主,径向和角向电场幅度比约为10,而芯片在圆波导内引入的横向电场驻波比均不大于1.3。最后推导了圆波导探测结构在不同模式电场作用下的灵敏度表达式,理论分析指出了探测结构的最大承受功率与圆波导模式有关,最高可达422 MW,响应时间则均为ps量级,初步证实了该探测结构可用于X波段百MW级脉冲波源在线探测的可行性。

针对一种已经完成模拟设计、工艺研究及成品开发, 且线度仅为百μm量级的太赫兹脉冲热载流子探测芯片展开了几何参数及电参数测试, 并对其性能进行了分析探讨。结果表明: 探测芯片具有较小的几何加工偏差和良好的欧姆接触效果; 模拟计算的结果表明这种量级几何加工偏差对相对灵敏度影响可以忽略; 综合分析各种测试测量结果, 进一步验证了芯片开发工艺和测试结果的有效性。

模拟研究了过模矩形波导WR10中n型硅探测芯片对TE10模亚毫米波的响应。针对过模波导WR10中内置n型硅芯片的亚毫米波探测结构, 推导了基模工作时的灵敏度表达式。采用三维电磁场时域有限差分方法, 模拟计算了过模波导中300~400 GHz频带的TE10模亚毫米波与硅芯片的相互作用, 分析了探测结构中电压驻波比和芯片内平均电场随硅芯片参数变化的规律。结果表明, 在相同的芯片参数下, 过模探测结构并不影响电压驻波比和芯片内平均电场的大小, 但两者随频率变化的波动程度增大。在300~400 GHz工作频带内, 优化得到了性能较优的过模探测结构, 其电压驻波比不大于2.75(335~380 GHz频带内不大于1.8), 线性工作区的相对灵敏度约为0.127 kW-1, 频率响应的波动范围在±20.5%内, 最大承受功率约为0.53 kW, 响应时间为100 ps量级, 满足亚毫米波大功率脉冲的直接探测需求。

基于n型硅在强电场下的热电子效应，初步研制了一种采用过模结构的0.14 THz高功率太赫兹脉冲探测器。该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10,n型硅探测芯片和偏置恒流源组成。模拟分析了探测器的工作过程，给出了相对灵敏度表达式，结果表明过模探测器能很好地工作在TE10模式。合理设计了探测芯片的结构参数和加工工艺，完成了探测芯片的加工和探测器样机的制作。将探测器样机在0.14 THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了初步的验证性实验，并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析。结果表明：过模探测器样机的响应时间在ps量级，相对灵敏度约为0.12 kW-1，最大承受功率至少为数十W，可用于0.14 THz高功率脉冲的直接探测。

给出了0.14 THz高功率单次脉冲信号的频率和功率的测量方法及实验结果。针对高功率太赫兹脉冲频率高、峰值功率高和脉宽短的特点，实验中采用了截止波导滤波法与谐波混频法相结合的方式准确测定了脉冲信号频率，利用辐射场功率密度积分法获取了辐射脉冲的远场功率分布，并给出了单次脉冲的辐射功率。某实验条件下的测量结果表明，0.14 THz高功率太赫兹脉冲的频率为0.146 3 THz，脉宽约为1.5 ns，功率不小于0.5 MW。

为研制大功率紧凑型太赫兹源，开展了0.22 THz大功率太赫兹源的理论设计研究。THz源采用表面波振荡器结构。重点研究了慢波结构对太赫兹源产生信号的影响，并对慢波结构进行了优化。结合二极管参数的选取，对该源结构进行了粒子模拟，结果表明：在馈入电压200 kV，电流2900 A的条件下，输出信号频率为0.22 THz，输出功率为19.5 MW，效率约为3.3%。

利用三维电磁场时域有限差分法，对0.3~0.4 THz高功率太赫兹脉冲作用下置于矩形波导内部宽边中心的n型硅块响应规律进行了研究。通过对置入硅块前后矩形波导内电磁场分布、电压驻波比及硅块内平均电场的模拟分析，得出硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的响应规律，硅块长、宽、高和电阻率均会对波导内电压驻波系数产生影响，其中以高度影响最为明显；硅块内平均电场在低频段和高频段单调性不一致。最后，在优化硅块长、宽、高及电阻率的基础上，给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲直接测量的电阻探测器芯片设计方案，其相对灵敏度约为0.509 kW-1，幅度波动不超过14%，电压驻波比不大于1.34。

为获得大功率太赫兹源，对基于表面波振荡器的相对论太赫兹源进行了初步的实验研究。为便于机械加工和实验装配，器件采用过模矩形波导慢波结构。利用理论分析和数值模拟得到的参数，在CKP1000加速器上进行了实验。功率测量采用辐射场功率密度积分方法，频率测量采用截止波导滤波法。在电子束压为320 kV、电子束流强度为2.1 kA、引导磁场为5 T条件下，实验获得频率0.136 THz以上、脉冲宽度为1.5 ns和辐射功率约2 MW的太赫兹信号输出。