为了实现紫外-可见波段的高响应度/低成本的广光谱光电探测,我们制备了基于一维p型Se微米线与二维n型InSe纳米片的混维范德瓦尔斯异质结广光谱探测器。得益于Se微米线与二维层状结构InSe纳米片的高结晶质量, 该器件在紫外-可见光广光谱范围都具有非常高的响应度, 该器件的响应截止边为700 nm。 值得指出的是, 该器件在-5 V的偏压下, 对460 nm的光源响应度可以达到108 mA/W,该数值比原来的Se探测器高了800%。这项研究有利于拓展我们对范德瓦尔斯异质结的认识, 也为今后制备高性能的低维光电探测器提供了一种新的途径。

针对目前高效、稳定的p型掺杂一直较难实现的问题，本文采用化学气相沉积方法制备出了高结晶质量的p型半导体材料Se微米线。同时，还制备出了基于单根Se微米线的光电探测器，其在紫外和可见光波段有较宽的响应范围，响应截止边为675 nm。该器件在5 V偏压下的峰值响应度可达28 mA/W(600 nm)。在此基础上，利用p型Se微米线与钙钛矿材料CH3NH3PbCl3制备了p-n结型器件，与单根Se微米线光电探测器相比，响应时间和响应度都有明显提升，尤其是异质结的响应度比纯Se微米线提高了850%。这一研究结果说明本文制备的有机无机复合结构p-n结非常有望应用到高性能光电探测器中。

SnO2基紫外探测器具有较高的光响应度，但由于材料存在持续光电导效应，其响应时间较长，限制了其在光电探测领域的应用。为此，我们研究了表面修饰对SnO2基光电探测器件的性能影响。采用化学气相沉积的方法制备了高结晶质量的SnO2微米线，并在此基础上制备了基于单根SnO2微米线的光电探测器。同时制备了高质量的钙钛矿CH3NH3PbBr3材料，并与SnO2微米线结合制备出经过修饰的SnO2基器件。两种器件在紫外波段都呈现出明显的光响应，响应峰值位于250 nm处。相比单根SnO2微米线器件，经过修饰后的SnO2微米线探测器的响应度提高了10倍，响应时间由单根SnO2微米线器件的几百乃至上千秒缩短为0.9 s。这一研究结果说明我们所采用的方法非常有望应用到高性能SnO2光电探测器的制备中。