为了研究Cr,Tm,Ho:YAG激光器输出功率的影响因素,采用改变可控因素冷却水温的方法,获取激光器的抽运阈值和输出功率的变化,并分析了冷却温度、频率及功率的关系.结果表明,激光器阈值随着温度及频率的升高呈增长状态,冷却温度及重频的增加都将导致激光器输出效率的降低;在重频为20Hz时,激光的输出功率达到10.1W,光纤末端的输出功率为7.3W,总的耦合率为72%;在单脉冲能量2.0J~2.5J、重频20Hz~25Hz下,对人体肾部结石能够达到预期的粉碎效果.

介绍了InGaN紫外探测器的研制过程, 并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延材料, 通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺, 制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试, 得到芯片的暗电流Id为1.00×10-12A, 零偏压电阻R0为1.20×109Ω。该紫外探测器在360~390nm范围内有较高的响应度, 峰值响应率在378nm波长处达到0.15A/W, 在考虑表面反射时, 内量子效率达到60%; 优质因子R0A为3.4×106Ω·cm2, 对应的探测率D*=2.18×1012cm·Hz1/2·W-1。

对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究，从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同偏压下的响应光谱表明，这些AlGaN光伏器件中存在较为明显的光导响应特性.光照和暗背景条件下的C-f曲线验证了器件中的持续光电导特性，而高铝组分铝镓氮材料内存在的大量缺陷被认为是该现象的起因.系统地研究了AlGaN基p-i-n光电探测器存在的负响应现象及其微观机理，为铝镓氮基日盲器件光电性能的优化提供了重要参考依据.