1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海200083
2 中国科学院大学,北京100039
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海200083
对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究，从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同偏压下的响应光谱表明，这些AlGaN光伏器件中存在较为明显的光导响应特性.光照和暗背景条件下的C-f曲线验证了器件中的持续光电导特性，而高铝组分铝镓氮材料内存在的大量缺陷被认为是该现象的起因.系统地研究了AlGaN基p-i-n光电探测器存在的负响应现象及其微观机理，为铝镓氮基日盲器件光电性能的优化提供了重要参考依据.
光电探测器 负响应 持续光电导 photodetector negative photoresponse persistent photoconductivity
