对于单幅图像去雾处理,暗通道先验算法具有较好的效果,但该算法处理时间长,对储存资源与计算资源要求很高,很难应用于无人机图像去雾。在暗通道先验算法的基础上进行改进,提出了一种快速的去雾算法,首先通过优化滤波器直接获得高精度的透射率,避免了原算法后续的抠图处理,显著降低了计算复杂度;然后针对去雾图像偏暗、灰度分布偏离原始图像的情况,以原始图为参考,采用直方图规定化方法进行增强处理,提高了亮度,改善了去雾图像的视觉效果,与He算法相比,该算法不仅极大地降低了计算复杂度,速度提高了近5倍,而且保持了原始算法的去雾能力。

GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构（WZ），而WZ（1010）侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs（1010）的表面弛豫和表面能，计算结果表明：（1010）A表面只出现原子的弛豫现象，表面能为40.6×1020 meV/m2；而（1010）B表面却重构形成了Ga-Ga和As-As二聚体，表面能为63.5×1020 meV/m2。相对于ZB（110）表面，WZ（1010）A面具有更低的表面能，（1010）A表面具有更好的稳定性，说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。

基于第一性原理, 采用广义梯度近似, 理论研究了新型三元系BxGa1-xSb合金的能带结构, 分析了硼(B)的含量对BxGa1-xSb合金能带特性的影响。理论计算结果表明, 硼相对摩尔含量在0～18.75%范围内时, BxGa1-xSb的Γ1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递增, 平均增速为17.5 meV/%B, 其能带弯曲参数为2.23 eV; 其X1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递减, 平均减速为12.8 meV/%B; 当x<10%时, BxGa1-xSb为直接帯隙化合物。同时还计算了硼相对摩尔含量为6.25%、12.5%和18.75%时BxGa1-xSb的形成焓。通过与BxGa1-xAs的形成焓对比, 预测BxGa1-xSb中硼的并入相对摩尔量可达7%。

Using two-step method InP epilayers were grown on GaAs(100) substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD). X-ray diffraction (XRD) and room-temperature (RT) photoluminescence (PL) were employed to characterize the quality of InP epilayer. The best scheme of growing InP/GaAs(100) heterostructures was obtained by optimizing the initial low-temperature (LT) InP growth conditions, investigating the effects of thermal cycle annealing (TCA) and strained layer superlattice (SLS) on InP epilayers. Compared with annealing, 10-period Ga0.1In0.9P/InP SLS inserted into InP epilayers can improve the quality of epilayers dramatically, by this means, for 2.6-micron-thick heteroepitaxial InP, the full-widths at half-maximum (FWHMs) of XRD 'omega' and 'omega'-2'theta' scans are 219 and 203 arcsec, respectively, the RT PL spectrum shows the band edge transition of InP, the FWHM is 42 meV. In addition, the successful growth of InP/In0.53Ga0.47As MQWs on GaAs(100) substrates indicates the quality of device demand of InP/GaAs heterostructures.