北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室， 北京 100876
GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构（WZ），而WZ（1010）侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs（1010）的表面弛豫和表面能，计算结果表明：（1010）A表面只出现原子的弛豫现象，表面能为40.6×1020 meV/m2；而（1010）B表面却重构形成了Ga-Ga和As-As二聚体，表面能为63.5×1020 meV/m2。相对于ZB（110）表面，WZ（1010）A面具有更低的表面能，（1010）A表面具有更好的稳定性，说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。
表面重构 纤锌矿结构 第一性原理 表面能 激光与光电子学进展
2011, 48(4): 041601
1 西北大学 信息学院，西安 710127
2 中国科学院西安光学精密器械研究所，西安 710119
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶，再甩胶于Si(111) 衬底上，在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜；XPS分析其表面，结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在，且Ga：N约为1：1；PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能.
氮化镓薄膜 溶胶-凝胶 六角纤锌矿结构 GaN flims Sol-gel Hexangularwurtzite structure
