极紫外探测器在电子工业、空间探索、基础科学等领域有着无法替代的作用。本文综述了不同类型极紫外探测器的优势及研究进展，包括气体探测器、闪烁体、微通道板以及半导体极紫外探测器，重点介绍了具有优异抗辐照能力的宽禁带半导体极紫外探测器及其潜在的应用优势。最后，本文展望了极紫外探测器在耐辐照功率监测、高分辨极紫外成像和高抑制比极紫外微光探测等方面的应用前景，并指出了其面临的主要挑战。

传统点云数据特征描述符存在表达能力不足、计算效率低和鲁棒性不强等问题，针对二进制形状上下文（BSC）特征描述符不能有效检测到曲率分布较大的区域以及局部坐标系存在二义性的问题，提出了一种基于二进制特征描述符的点云数据配准算法。首先，采用内在形状签名关键点检测法和三维曲面片估计方法改进语义问题。然后，利用汉明距离与改进的几何一致性方法进行特征匹配。最后，用随机抽样一致性算法剔除误匹配。实验结果表明，相比快速点特征直方图、融合点签名的直方图和BSC算法，本算法与迭代最近邻点算法的结合能在大幅度提升配准效率的同时减小配准误差。

柔性电子设备的快速发展对薄膜晶体管(TFT)提出了低功耗、耐弯折和可低温制备的要求。其中，栅极绝缘层是核心材料之一。溶液法制备有机栅极绝缘层具有低成本、柔韧性强的优点，适合大面积加工。本文采用喷墨打印法实现了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)墨水的印刷成膜，采用XPS分析了不同退火温度处理的印刷PVP薄膜成分差异，并测试了PVP器件的漏电流、电容和转移特性参数。200 ℃退火的PVP薄膜漏电流密度≤10-4A/cm2 (5 V)，相对介电常数约为3.8，玻璃衬底器件饱和迁移率达到4.6 cm2/(V?s)，开关比≥105；PI柔性衬底器件在20 mm弯折半径下迁移率2.8 cm2/(V?s)，开关比约6×104，在柔性电子领域有一定的应用前景。

采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜, 重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制。研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆, 另一方面促使氧化锆薄膜结晶。此外, 转速较高时, 其变化对薄膜厚度及粗糙度无显著影响。当转速为5 000 r/min、退火温度为300 ℃时, 制备的绝缘层厚度具有良好的厚度均匀性, 粗糙度为0.7 nm, 漏电流为3.13×10-5 A/cm2(电场强度1 MV/cm)。最终, 利用ZrO2薄膜作为栅极绝缘层, 在玻璃基板上制备了铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO-TFT),其迁移率为6.5 cm2/(V·s), 开关比为2×104。

压电喷墨打印是制备印刷电子器件的主要手段之一, 其墨滴喷射状态直接受压电波形的影响, 因而压电波形对于器件打印具有重要意义。本文主要研究了压电波形对薄膜晶体管(TFT)电极打印效果的影响, 实验通过改变压电波形的加压速率和脉冲持续时间, 打印得到了一系列的电极样品, 并对其图形效果及表面粗糙度进行了测量。实验表明, 随着加压速率和脉冲持续时间的增大, 墨滴喷出动能增大, 最终打印的图形效果先改善后恶化, 表面粗糙度则随之增大。在加压速率取值为0.08～1.65 V/μs、脉冲持续时间取值为1.216～2.688 μs的区间内得到了失真程度较小的电极图形, 在加压速率及脉冲持续时间分别为0.25 V/μs、2.688 μs及0.65 V/μs、1.600 μs时, 电极图形化效果较好, 表面粗糙度分别为59.04 nm和59.27 nm。通过对压电波形参数的合理设置, 能够实现对打印图形效果的优化。

在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(Al2O3)薄膜, 通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制。当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13 Pa时, 制备的Al2O3薄膜具有最好的厚度均匀性, 薄膜中Al和O的原子比为1∶1.67, 密度为3.21 g/cm3, 粗糙度为0.62 nm。这种平滑、致密的薄膜结构能够有效地减少缺陷的形成, 获得高击穿电压、高相对介电常数和低漏电等性能。利用优化后的Al2O3薄膜作为栅极绝缘层, 在聚酰亚胺树脂(PI)基板上室温制备了柔性非晶态铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(α-IGZO-TFT), 其迁移率为2.19 cm2/(V·s), 开关比达到105, 亚阈值摆幅为0.366 V/decade, 阈值电压为3.01 V。

针对目前大多数氧化物薄膜晶体管都需要采用热退火工艺来提高其性能不利于其在柔性显示器件中应用这一问题, 提出了一种采用室温工艺制备的新型TFT器件, 无需退火处理即可获得较好的器件性能。该器件采用脉冲激光沉积技术制备的AZO/Al2O3叠层结构作为沟道层。与单层AZO-TFT器件相比, 叠层TFT器件具有更优异的性能, 其迁移率为2.27 cm2·V-1·s-1, 开关比为1.43×106。通过对AZO/Al2O3叠层薄膜的厚度、密度、粗糙度、物相、界面特性及能带结构等进行分析, 发现这种叠层结构能够使电子的运动被限制在AZO薄膜平面内, 即形成了二维电子传输, 从而提升TFT器件的性能。