1 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室, 华南理工大学 材料科学与工程学院, 广东 广州510640
2 华南农业大学 电子工程学院, 广东 广州510642
采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜, 重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制。研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆, 另一方面促使氧化锆薄膜结晶。此外, 转速较高时, 其变化对薄膜厚度及粗糙度无显著影响。当转速为5 000 r/min、退火温度为300 ℃时, 制备的绝缘层厚度具有良好的厚度均匀性, 粗糙度为0.7 nm, 漏电流为3.13×10-5 A/cm2(电场强度1 MV/cm)。最终, 利用ZrO2薄膜作为栅极绝缘层, 在玻璃基板上制备了铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO-TFT),其迁移率为6.5 cm2/(V·s), 开关比为2×104。
氧化锆薄膜 溶液法 旋涂转速 退火温度 zirconia film solution process spin coating speed annealing temperature
华南理工大学 高分子光电材料与器件研究所 发光材料与器件国家重点实验室 材料科学与工程学院, 广东 广州 510640
溶液法印刷制备电子器件因具有绿色环保、低成本、流程简单、柔性好和适应性强等优良特性, 受到世界各个国家的重视, 尤其高性能薄膜晶体管是平板显示和消费电子行业的基石, 更成为了研究的热点。本文综述了基于溶液法氧化物薄膜晶体管印刷制备的最新研究进展, 详细讨论了印刷氧化物薄膜晶体管结构优化、半导体层材料、电极层材料和绝缘层材料以及相关前驱体选择等, 指出了提升器件性能的关键, 明确了器件后处理与稳定性的关系。最后, 本文总结了氧化物薄膜晶体管在印刷制备和应用过程中存在的问题以及发展前景。
溶液法 氧化物薄膜晶体管 印刷制备 前驱体 后处理 solution processes oxide semiconductor thin film transistor print fabrication precursors post-treatment
