在室温下，对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究。这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光，其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm，而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm。位于510 nm、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰，而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰。这些光谱方面的变化可用该高分子发生的结构上的变化来解释。

在室温下，对单取代聚乙炔(PACz－1)和两种双取代聚乙炔[PACz－2(m=3)、PACz－2(m=9)]的荧光特性和电子结构进行了研究。每种聚乙炔的支链上有一个咔唑单元。虽然它们的分子结构不同，但它们的稀溶液却有相同的吸收峰和强的绿色荧光发射峰，并且它们的吸收谱和发射谱很相似。当溶液的浓度增大到～1×10^－3M时，发现有强的绿色荧光发射，峰位位于475nm。运用Huckel扩展紧束缚计算方法，从理论上计算了带咔唑支链的聚乙炔的电子结构。结果表明单取代聚乙炔和两种双取代聚乙炔的吸收峰、低浓度下的360nm紫外光发射峰与高浓度下的475nm的绿色荧光峰都是由于聚乙炔支链上咔唑生色团引起的。

报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法。氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后，用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明：在快速升温条件下所形成的nc－Si在薄膜中的分布是随机均匀的，直径在1．6～15 nm范围内，硅粒大小随退火过程中升温快慢而变化。

报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1.6～15 nm内.根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成纳米硅颗粒大小之间的关系,并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.经退火形成的nc-Si可见光辐射较弱,不能检测到它们的光致发光,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红PL,并且钝化后的nc-Si在空气中暴露一定时间后,其辐射光波长产生了蓝移.就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论.

含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时(～100℃/s),则所形成纳米硅粒较小(～1.6～15 nm);若单位时间内温度变化量较低(～1℃/s),则纳米硅粒较大(～23～46 nm).根据分形生长理论和计算机模拟,我们讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.