使用Al2O3∶C作为灵敏物质的辐射探测器具有体积小、灵敏度高、可在线远程退火等优点。精确测量Al2O3∶C的光释光荧光光谱不仅有助于理解Al2O3∶C的能级分布和发光机理, 还可用于指导荧光收集和测量系统设计。采用直接测量法和分光测量法测量了Al2O3∶C的光释光荧光光谱, 两种方法得到的光谱基本一致, 具有峰值波长为～414nm, 半高宽为～62nm的单峰形状, 且长波长侧衰减较缓慢。峰值波长为414nm（对应能量为3.0eV）的宽带光释光荧光对应于Al2O3∶C材料中F色心由3P激发态退激到1S基态所发射的荧光。设计的分光光谱测量系统可完全消除高强度反射激发光的影响, 也可用于其他光释光材料的荧光光谱测量。

针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.

Evolution of surface morphology and optical characteristics of 1.3-\mum In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots (QDs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated by atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL). After deposition of 16 monolayers (ML) of In0.5Ga0.5As, QDs are formed and elongated along the [110] direction when using sub-ML depositions, while large size InGaAs QDs with better uniformity are formed when using ML or super-ML depositions. It is also found that the larger size QDs show enhanced PL efficiency without optical nonlinearity, which is in contrast to the elongated QDs.

在室温下，对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究。这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光，其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm，而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm。位于510 nm、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰，而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰。这些光谱方面的变化可用该高分子发生的结构上的变化来解释。

The self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) with extremely low density of 8\time10^(6) cm^(-2) are achieved using higher growth temperature and lower InAs coverage by low-pressure metal-organic chemical vapour deposition (MOVCD). As a result of micro-photoluminescence (micro-PL), for extremely low density of 8\time10^(6) cm^(-2) InAs QDs in the micro-PL measurements at 10 K, only one emission peak has been achieved. It is believed that the InAs QDs have a good potential to realize single photon sources.

The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) are reported. The low-density InAs QDs (~5×108 cm-2) are achieved using high growth temperature and low InAs coverage. Photoluminescence (PL) measurements show the good optical quality of low-density QDs. At room temperature, the ground state peak wavelength of PL spectrum and full-width at half-maximum (FWHM) are 1361 nm and 23 meV (35 nm), respectively, which are obtained as the GaAs capping layer grown using triethylgallium (TEG) and tertiallybutylarsine (TBA). The PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280, and 1204 nm, which correspond to the ground state, the first excited state, and the second excited state of the QDs, respectively.

在室温下，对单取代聚乙炔(PACz－1)和两种双取代聚乙炔[PACz－2(m=3)、PACz－2(m=9)]的荧光特性和电子结构进行了研究。每种聚乙炔的支链上有一个咔唑单元。虽然它们的分子结构不同，但它们的稀溶液却有相同的吸收峰和强的绿色荧光发射峰，并且它们的吸收谱和发射谱很相似。当溶液的浓度增大到～1×10^－3M时，发现有强的绿色荧光发射，峰位位于475nm。运用Huckel扩展紧束缚计算方法，从理论上计算了带咔唑支链的聚乙炔的电子结构。结果表明单取代聚乙炔和两种双取代聚乙炔的吸收峰、低浓度下的360nm紫外光发射峰与高浓度下的475nm的绿色荧光峰都是由于聚乙炔支链上咔唑生色团引起的。

在18至300 K的温度范围内，对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究。在室温时，这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光，其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm，而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm。位于510、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰，而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰。当温度从300 K降到18 K的过程中，原荧光光谱发生中的激发缔合物的主要发光峰从510 nm逐渐红移到570 nm，而其激发缔合物的次要发光峰逐渐消失；与此同时，该高分子材料的380 nm的荧光峰逐渐与主荧光峰分开。这些光谱方面的变化可用该高分子在低温下所发生的结构上的变化来解释。

GaAs (110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化.通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量.结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙.利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱.

提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点.实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层.由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究.