分别用连续激光、 40 kHz和 5 kHz重频激光对可见光 CCD进行损伤实验, 发现了相似的损伤现象, 即点损伤、线状损伤和完全损伤, 并分别测量了各个损伤状态下的驱动电极与衬底间的阻抗变化; 分别对三组实验中损伤的 CCD芯片进行电镜扫描, 微观分析各个损伤位置处的损伤形貌, 详细解释了出现三种损伤现象的原因, 并比较了三种工作状态激光的不同作用机理。得到的结论是: 点损伤现象与 CCD表层的损伤有关, 线损伤现象与漏光和电极间短路有关、完全损伤现象与绝缘层的损伤有关; 连续激光作用的过程以热熔融为主、 40 kHz重频激光作用的过程以汽化烧蚀为主、 5 kHz重频激光作用的过程包括汽化烧蚀、强汽化“冲刷”以及反冲压力。

从傅里叶模型和非傅里叶模型的基本方程出发，通过有限差分方法对方程进行数值求解。分别分析了10, 1.0, 0.1, 0.01 ns这4种脉宽的脉冲激光作用于硅材料时两种传热模型温度曲线的相对变化；讨论了热弛豫时间对非傅里叶模型数值结果的影响。结果表明：脉宽小于或等于100 ps的激光作用于硅材料时，表层温度上升缓慢，会发生载流子效应，非傅里叶模型可以合理地反映这种现象；对于一般材料，载流子效应发生的条件是脉宽小于或等于材料热弛豫时间，此时应当用非傅里叶模型描述加热过程。

采用1.06 μm 的连续激光对可见光CCD 成像系统进行干扰实验，依次观察到了饱和串扰、串扰亮线加粗、全屏饱和与全屏布满黑白雪花点的实验现象。利用有限元分析的方法对实验中的探测器升温情况进行模拟计算。并通过数值分析，发现随着温度的升高，暗电流不断增大，当温度超过350 K 时，增大的速度显著上升；像元的饱和阈值相应地减小，当温度达到350 K 时，其数值就已经减为零。根据模拟升温的大小，结合温度升高时探测器暗电流、像元饱和阈值的变化，对实验现象进行了合理的解释。结果表明：除了考虑光电转换产生的光电子以外，由于激光辐照导致探测器表面升温，进而引起暗电流增大和像元饱和阈值减小，是CCD 产生饱和效应的重要影响因素。