基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT), 其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明, 器件在波长分别为660、450和405nm三种激光照射下的阈值电压Vth分别为4.2、2.5和0V, 均低于无激光时的4.3V, 且器件的阈值电压随激光波长减小单调降低, 此外, 随着激光波长的下降, “明/暗”电流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V条件下), 光敏响应度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW, 可见激光波长越短, 可获得更强的光电效应, 光灵敏度也更高, 该效应表明该器件在光电探测等领域具有广阔的应用前景。