基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT), 其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明, 器件在波长分别为660、450和405nm三种激光照射下的阈值电压Vth分别为4.2、2.5和0V, 均低于无激光时的4.3V, 且器件的阈值电压随激光波长减小单调降低, 此外, 随着激光波长的下降, “明/暗”电流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V条件下), 光敏响应度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW, 可见激光波长越短, 可获得更强的光电效应, 光灵敏度也更高, 该效应表明该器件在光电探测等领域具有广阔的应用前景。

基于改进的化学气相沉积(MCVD)法结合溶液掺杂技术以及侧向研磨技术，实验制作出了一种D型双包层高浓度掺铒光敏光纤。为了同时实现光纤中的大模场直径和铒离子的高浓度掺杂，其纤芯采用了双层掺铒区结构，并对该样品光纤的基本参数及光敏特性进行了测试，其截止波长为1234.03 nm，模场直径约为12 μm，在1530 nm处的吸收系数为49.658 dB/m，上面刻写的均匀布拉格光纤光栅的透射深度为10 dB，对应的反射率为90%。测试结果表明，自制的D型双包层光纤具有很高的铒离子掺杂浓度和良好的光敏特性，能够为制作全光纤型高功率单模包层抽运光纤激光器提供一个很好的选择。

Sn/Yb codoped silica optical fiber preform is prepared by the modified chemical vapor deposition (MCVD) followed by the solution-doping method. Ultraviolet (UV) optical absorption, photoluminescence (PL) spectra under 978-nm laser diode (LD) pumping, and refractive index change after exposure to 266-nm laser pulses are obtained. There is only a little change in the PL spectra while a positive refractive index change up to 2\times10^{-4} is observed after 30-min exposure to 266-nm laser pulses. The results show that both of the peculiar photosensitivity of Sn-doped silica and the gain property of Yb-doped silica fiber are preserved in the Sn/Yb codoped silica optical fiber preform. The experimental data suggest that the photosensitivity of the fiber preform under high energy density laser irradiation should be mainly due to the bond-breaking of oxygen deficient defects, while under relatively low energy density laser irradiation, the refractive index change probably originates from the photoconversion of optically active defects.

针对光照度小于10 lx的弱光使用环境,提出并设计了一种批量光电二极管弱光光敏特性测试仪.仪器包括可调弱光光源、照度均匀化装置、批量光电二极管固定板、多通道转换开关、微电流放大电路、环境照度监测通道、数据采集及微机接口电路和相关配套软件.仪器的核心为自行研制的光照度在0.01-10 lx范围内无级可调的弱光光源.实际应用中,在2 lx照度下,光电二极管弱光光电流一般为12.2-15.6 nA,只有少数光电流低于10 nA;因此,该仪器可用来进行光电二极管的定量筛选.

利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO₂/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba_1-XSr_XNb_yTi_1-yO₃)薄膜,制成Al/Ba_1-XSr_XNb_yTi_1-yO₃/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性.实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7 eV,且可见光区域存在连续的吸收峰.该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性.光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程.通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200 lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27 ms.