锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率，材料结构稳定、可生产性强，并具备低暗电流和高工作温度（HOT）的优势，符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗（SWaP）的要求。目前，工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3 类：InSb、锑基II 类超晶格和InAsSb，国外已报道了640×512、1024×1024 和2040×1156 规格的焦平面阵列，工作温度提高到150 K 以上。本文从材料特性和器件结构、像元尺寸及工艺技术来阐述国内外锑基高工作温度红外探测器的研究状况。
高工作温度（HOT） II 类超晶格 high operation temperature（HOT） SWaP SWaP InAsSb InAsSb InSb InSb Type-II superlattice
利用碲镉汞（HgCdTe）体晶材料，采用HgCdTe 材料拼接技术、磨抛技术等成熟的探测器芯片制备工艺以及三级热电制冷技术，设计并研制出了热电制冷型13 元HgCdTe 中波红外光导探测器。在－50℃时，峰值电压响应率可达2.7×104 V/W，峰值探测率达到2.3×1010 cm·Hz1/2·W－1，响应波段在3.0～4.6 μm 之间，峰值响应波长为4.2 μm。
红外探测器 碲镉汞 热电制冷 infrared detectors HgCdTe thermoelectric cooled
分析了光伏 InSb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61～0.56、响应时间为 20～60 ps的锑化铟(InSb)红外探测器,实验制备了台面 p＋-on-n结构的探测器。通过 I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合。采用脉冲响应测试了 InSb探测器的响应时间(0.3.s),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距。
红外探测器 锑化铟(InSb) 响应时间 量子效率 台面 PN结 infrared detector InSb response time quantum efficiency mesa PN structure
