利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808nm半导体激光器巴条热耦合特征, 给出了稳态和瞬态热分析, 呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加, 热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外, 作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.

Asymmetric broad-waveguide separate-confinement heterostructure (BW-SCH) quantum well (QW) laser diode emitting at 808 nm is analyzed and designed theoretically. The dependence of the optical field distribution, vertical far-field angle, and internal loss on different thicknesses of the upper waveguide layer is calculated and analyzed. Calculated results show that when the thicknesses of the lower and upper waveguide layers are 0.45 and 0.3 \mu m, respectively, for the devices with 100-\mu m-wide stripe and 1000-\mu m-long cavity, an output power of 7.6 W at 8 A, a vertical far-field angle of 37°, a slope efficiency of 1.32 W/A, and a threshold current of 189 mA can be obtained.

为研究激光对亚洲车蝗蝻虫头部位置的辐照效果,选择近红外大功率连续型半导体激光器(808nm,2W)进行辐照试验。试验时,把试验幼虫分为Ⅰ-Ⅲ龄期和Ⅳ-Ⅵ龄期,距离激光发光面不同距离处照射不同时间,分别观察照后即刻、照后5小时和照后24小时蝗蝻的死亡率,并观测蝗蝻肌体组织的损伤情况。结果表明,随着辐照时间和激光功率密度的增加,蝗虫的致死率增加;在相同的辐照条件下,Ⅰ-Ⅲ龄期比Ⅳ-Ⅵ龄期更容易致死。肌体宏观观测结果表明,头部有明显的碳化现象,部分蝗蝻有畸变现象。试验结果说明近红外激光辐照蝗蝻的头部位置有明显的致死效果。

从InGaAsP－InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP－InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明，在23－70℃的温度范围内，器件的功率由1．74W降到0．51W，斜率效率由1．08W／A降到0．51W／A．实验测得其特征温度T₀为325K．激射波长随温度的漂移dλ／dT为0．44nm／℃．其芯片的热阻为3．33℃／W．