1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022
2 沈阳化工学院材料科学与工程学院，沈阳 110142
3 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，长春 130033
从InGaAsP－InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP－InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明，在23－70℃的温度范围内，器件的功率由1．74W降到0．51W，斜率效率由1．08W／A降到0．51W／A．实验测得其特征温度T0为325K．激射波长随温度的漂移dλ／dT为0．44nm／℃．其芯片的热阻为3．33℃／W．
单量子阱激光器 热特性 特征温度 SQW Laser 808 nm 808nm InGaAsP－InP InGaAsP-InP Thermal characteristics Characteristic temperature
