1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022
2 沈阳化工学院材料科学与工程学院，沈阳 110142
3 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，长春 130033
从InGaAsP－InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP－InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明，在23－70℃的温度范围内，器件的功率由1．74W降到0．51W，斜率效率由1．08W／A降到0．51W／A．实验测得其特征温度T0为325K．激射波长随温度的漂移dλ／dT为0．44nm／℃．其芯片的热阻为3．33℃／W．
单量子阱激光器 热特性 特征温度 SQW Laser 808 nm 808nm InGaAsP－InP InGaAsP-InP Thermal characteristics Characteristic temperature
中国科学院上海冶金研究所微电子分部, 上海 200233
采用折射率台阶近似法将梯度折射率分别限制异质结单量子阱(GRINSCH—SQW)激光器波导结构中的缓变折射率层离散成折射率近似为常数的亚层,从而推导出此波导的近似本征方程,并用数值计算求解出波导对于基模的等效折射率。在此基础上,通过计算波导中垂直于激光器结平面方向上的光强近场分布,计算出与激光器的阈值电流有密切关系的光学常数——激光器有源层的光限制因子P以及各种波导结构参数对P的影响,同时计算了激光器的远场图形。计算结果可用于GRINSCH-SQW激光器波导结构参数的优化设计。
GRINSOH-SQW激光器 缓变折射率的台阶近似光限制因子T
