通过原位生长法制备了一种CuSCN纳米薄膜紫外光电探测器，在-1 V 偏压下，入射光为350 nm时，CuSCN紫外光电探测器的开关比～94，响应/恢复时间~1.41 s/1.44 s。但这种器件仍不能称之为一种高性能的光电探测器。为进一步提高CuSCN纳米薄膜的光电性能，我们制备了一种基于 n-ZnS/p-CuSCN 复合薄膜的紫外光电探测器，并对制备的样品进行了形貌、成分和性能分析。结果显示，在-1 V 偏压下，入射波长为350 nm时，ZnS/CuSCN紫外光电探测器表现出比CuSCN紫外光电探测器更高的光电流和更低的暗电流，分别为1.22×10-5 A和4.8×10-9 A。基于ZnS/CuSCN 纳米薄膜的紫外光电探测器开关比-2 542，响应/恢复时间为0.47 s/0.48 s，在350 nm波长下具备最佳的响应度和探测率，分别为5.17 mA/W和1.32 × 1011 Jones。此外，n-ZnS/p-CuSCN复合薄膜在室温下性能稳定，具有作为高性能紫外探测器的潜力。
光电探测器 p-n结 ZnS/CuSCN 开关比 photodetector p-n junction ZnS/CuSCN on/off ratio 侯世欣 1,2,3崔兴华 1,2,3王鹏阳 1,2,3,*黄茜 1,2,3[ ... ]张晓丹 1,2,3
1 南开大学，光电子薄膜器件与技术研究所，天津 300350
2 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津 300350
3 教育部薄膜光电子技术工程中心，天津 300350
宽带隙的无机空穴传输材料硫氰酸亚铜(CuSCN)具有低成本、高载流子迁移率、良好的稳定性，以及优异的光透过性等优点，是一种非常有潜力的空穴传输层材料。但是目前基于CuSCN空穴传输层的n-i-p型钙钛矿太阳电池(PSCs)的光电转换效率(PCE)比基于spiro-OMeTAD的电池效率低很多，其主要原因为电池的开路电压较低。本研究团队发现钙钛矿吸收层带隙对基于CuSCN的电池开路电压有较大的影响，本文分别制备了基于带隙为1.55 eV，1.60 eV以及1.65 eV的钙钛矿太阳电池，其中基于CuSCN 的器件的效率分别为12.8%，14.4%，10.7%(基于spiro-OMeTAD的钙钛矿太阳电池效率分别为20.8%，19.1%和17.5%)。通过研究发现1.60 eV带隙的钙钛矿能够与CuSCN空穴传输层(HTL)之间形成较好的界面能级匹配，获得最高的效率，电池的开路电压能够达到1.06 V，电池PCE为14.4%。更重要的是在相对湿度(RH)30%~40%的空气中，未封装的基于CuSCN HTL钙钛矿太阳电池经过120 ℃处理1 h后仍能够保持原来性能的92.4%，而基于spiro-OMeTAD HTL钙钛矿太阳电池只能保持原来性能的49.7%。这表明基于CuSCN的n-i-p型钙钛矿太阳电池具有良好的热稳定性，是制备稳定钙钛矿太阳电池的理想空穴传输材料之一。
n-i-p型钙钛矿太阳电池 钙钛矿吸收层带隙 能级匹配 稳定性 n-i-p type perovskite solar cell CuSCN CuSCN band gap of perovskite absorption layer energy level alignment stability
西南大学 物理科学与技术学院， 重庆 400715
同有机电荷注入材料相比，无机电荷注入材料具有许多优良的性质，包括高载流子迁移率、良好的稳定性、制备简单和成本低廉等，其在光电器件中的应用备受瞩目。本文采用硫氰酸亚铜(CuSCN)作为有机金属卤化物钙钛矿发光器件的空穴注入层，研究了在其上涂敷钙钛矿薄膜的形貌、晶体结构和光物理性质，并与在普遍采用的导电聚合物空穴注入层上制备钙钛矿薄膜的特性进行了比较。实验结果表明，CuSCN对钙钛矿发光具有显著的猝灭作用，在CuSCN与钙钛矿层之间加入有机间隔层能够明显提高钙钛矿薄膜的发光强度。在此基础上制备了以CuSCN作为空穴注入层的发光器件，器件的最大发光效率为11.7 cd/A，较采用导电聚合物作为空穴注入层器件的效率提高了近3倍，并且器件驱动稳定性也有一定程度的提高。
无机材料空穴注入层 硫氰酸亚铜 发光猝灭 钙钛矿发光器件 inorganic charge injection layer CuSCN luminescence quenching perovskite light-emitting devices
