1 上海理工大学 理学院, 上海200093
2 上海市现代光学重点实验室, 上海200093
基于密度泛函理论下的广义梯度近似结合平面波赝势方法计算得到LuPO4晶体的缺陷形成能, 对带电缺陷与其镜像之间周期性库伦作用进行修正, 得到比较精确的不同带电态的氧空位缺陷形成能, 并利用杂化泛函方法修正带隙和带边.考虑电子声子耦合作用结合缺陷形成能构建光谱.对比LuPO4∶Nd的实验结果与计算结果, 发现F心的吸收峰与Nd3+的5d—4f发射峰重叠(位于189 nm), 表明LuPO4∶Nd中光产额较低的原因与F心的存在有密切关系.
第一性原理 LuPO4晶体 F心 电子声子耦合 FNV修正 First principles LuPO4 crystal F center Electron-phonon coupling FNV correction
