针对标准蝗虫优化算法(GOA)搜索精度低、容易得到局部最优解和稳定性差的不足, 提出一种基于互利共生与混合变异策略的改进GOA。首先, 引入一种针对收敛因子的非线性重构方法, 均匀算法全局搜索与局部开发, 设计一种基于高斯-柯西分布的个体混合变异机制, 有效避免局部最优解;再引入一种互利共生策略, 增强个体多样性, 提升算法全局寻优能力; 然后, 建立了UAV路径规划的代价模型, 并将路径规划转化为多维函数优化问题, 利用改进GOA求解路径规划问题, 以综合考虑威胁代价和能耗代价的目标函数评估个体位置的适应度, 迭代求解最优路径, 并引入B样条曲线对最终散点串连路径作平滑处理。实验结果表明, 改进算法具有更高的搜索精度, 求解路径可以成功规避所有威胁区域, 对车联网(IOV)中的路径规划问题具有较好的参考意义。

为适应未来战斗机作战模式对**控制管理的需求,对机载悬挂物管理系统的技术发展进行了研究,提出了新一代机载悬挂物管理系统的技术特点及发展趋势。分析了飞机与悬挂物的互连关系,给出了分层设计方法。对通用**接口、智能化的高安全性**控制管理、异平台**协调控制管理的关键技术进行了阐述,开拓了新一代悬挂物管理系统的设计思路。

提出了一种新型的GOA(阵列基板栅极驱动)电路。此电路可以有效抑制GOA输出信号的震荡效应, 提高有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode, AMOLED)像素电流的稳定性。研究了新添加的TFT(T71/T72)尺寸, 以及VGL3的幅值变化对电路性能以及电流震荡的影响。仿真结果显示采用该GOA作为栅极驱动电路, OLED像素电流震荡是原始值的1%以内。

随着GOA(Gate On Array)技术的不断发展, 在小尺寸TFT-LCD窄边框显示屏上的应用也越来越频繁, 但是由于GOA电路的复杂性和TFT器件自身的稳定性, 以及外界温度、湿度的影响, 显示屏还存在显示不稳定的问题。本文针对小尺寸TFT-LCD GOA显示屏在高温高湿环境下产生的异常显示横纹, 进行了深入分析与改善研究。通过对GOA区域ITO过孔电阻测试、显微镜检查以及修复实验验证, 找出了不良产生的直接原因为ITO发生腐蚀, 过孔电阻增大, 导致GOA驱动信号无法上下导通。接着进一步研究ITO腐蚀发生的条件、ITO腐蚀情况、驱动信号对应关系以及腐蚀成分, 证明了ITO发生腐蚀原因为产品长期工作(200 h左右)在高温高湿环境下, 由于水汽的不断渗入, 使GOA区域ITO发生了电化学腐蚀效应。最后根据电化学腐蚀原理, 通过采用隔水性强的封框胶、增加ITO膜厚以及降低ITO电位差等措施对工艺进行了改善, 结果表明改善后的显示屏超过1 000 h, 未发生ITO腐蚀。

在TFT-LCD（Thin film transistor-liquid crystal display）行业中, 进行摩擦工艺制程时, 玻璃基板与机台接触、分离; 摩擦辊与玻璃基板摩擦、摩擦机台顶针上升过程, 都容易产生静电击穿。针对一款在摩擦工艺过程中产生静电的GOA(Gate driver on Array)产品,结合摩擦工艺参数、生产环境, 进行了一系列静电相关验证。验证发现: 摩擦工艺中摩擦布寿命、环境湿度对静电发生影响很大。摩擦布寿命越靠后, 静电越容易发生; 湿度越大, 静电越不容易发生。摩擦机台顶针上升速度、摩擦布类型也对静电发生有一定影响, 顶针缓慢上升, 静电不容易发生; 摩擦棉布较尼龙布静电效果相对较好。而针对摩擦工艺发生的静电失效不良,光配向替代是一种根本的解决方法,导入光配向工艺后, 摩擦相关静电失效不良由量产6.8%下降为0%。

背沟道刻蚀型（BCE）非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管(a-IGZO TFT)具有工艺简单、寄生电容小以及开口率高等优点，但BCE IGZO器件背沟道易受酸液和等离子体损伤，进而引起TFT均匀性和稳定性等方面问题，随着GOA技术的导入，对TFT器件电学性能的均匀性和稳定性提升的要求也日益迫切，因此开发高信赖性BCE IGZO TFT是技术和市场的迫切要求。本文主要分析了基于IGZO的背沟道刻蚀型薄膜晶体管电学性质，通过优化钝化层材料，色阻材料以及GOA TFT结构等削弱因背沟道水汽吸附引起的器件劣化，偏压温度应力测试结果显示优化后的TFT展现了良好的稳定性——在80 ℃，栅极30 V负向偏压条件下，2 000 s的ΔVth小于1 V。最终，利用优化的IGZO TFT制作了215.9 mm(85 in)8K4K 120 Hz液晶显示器。

针对机载**传统集成方式集成周期长和成本高的问题,研究了基于配置技术的**即插即用新型集成技术的概念。提出了面向服务的开放式**集成框架,将用于描述**控制行为的**支持服务与集成框架解耦合。为了定义**控制行为,设计了标准格式的参数型配置文件和具有悬挂物控制API及悬挂物OSI API的标准接口的程序型配置文件,并阐述了配置文件系统的存储目录结构。经过分析与验证,最终确定了采用配置技术实现即插即用**快速集成的可行性。

高级超维场转换技术（Advanced Super Dimension Switch, 简称ADS）是以宽视角技术为代表的核心技术统称, 其显示模式过大的存储电容（Cst）成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内, 像素为了维持相同的充电率, 需要降低Cst。本文采用一种双条形电极ADS结构（Dual Slit ADS）, 其中像素电极与公共电极交叠区域形成ADS结构, 像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换（IPS）结构, 通过减少像素电极与公共电极的交叠面积, 起到降低ADS模式Cst的目的。模拟结果表明: 当ADS显示模式采用Dual Slit ADS设计时, 像素的Cst可以下降30%~40%。实验结果表明: 采用Low Cst Pixel ADS设计时, VGH Margin可以增大2.5 V, 但受到像素电极和公共电极的对位影响, 透过率下降5%。

通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法.分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄.采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5.4%降低到004%以下.GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13.4%降低到1.22%以下.

GOA型TFT LCD产品Shorting Bar testing工序烧伤现象严重,针对把根源归结为Shorting Bar Testing工序测试参数电压过高的假设,设计一个Source电压远高于理论测试电压的测试波形,分别以高压值参数和理论值参数对样品进行测试,结果发现两种情况下烧伤概率一样;针对把根源归结为Shorting Bar testing工序驱动程序启动瞬间冲击烧伤的假设,在测试驱动板上每个测试信号输入口加一个限流器,用加限流器和没加限流器的测试治具分别对样品进行测试,结果发现两者烧伤概率一样;针对把根源归结为静电击伤的假设,在Shorting Bar testing工序增加防静电措施,分别在改进前后的测试环境对样品进行测试,发现改进后未出现烧伤现象.可见出烧伤现象的根源在于静电,而非其他原因.