1 江西科技学院 协同创新中心, 江西 南昌330098
2 江西科技学院 管理学院, 江西 南昌330098
3 浙江正泰太阳能科技有限公司, 浙江 杭州310053
采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜, 研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明: 在氢气气氛下退火后, BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化, 但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明: 在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变, 但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。
低压化学气相沉积 ZnO薄膜 光学性能 载流子浓度 霍尔迁移率 low pressure chemical vapor deposition ZnO thin film optical properties carrier concentration Hall mobility
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响。结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构,并沿C轴择优生长;作用在Co靶上的溅射功率对Co-ZnO薄膜的结构和光电性能有一定的影响。在其他条件不变的情况下,当Co靶上的溅射功率设置为10W时,样品的结晶质量、表面形貌、光透过率、光致发光以及导电性能综合评价最优。
Co-ZnO薄膜 溅射功率 霍尔迁移率 透射光谱 光致发光谱 Co-ZnO thin films sputtering power Hall mobility photoluminescent spectrum transmittance
1 中南大学 物理科学与技术学院, 湖南 长沙 410083
2 中南大学 材料科学与工程学院, 湖南 长沙 410083
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材, 利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了氧氩比对薄膜的结构、光学和电学性能的影响。结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构, 并沿c轴择优生长; 当氧氩比为2∶8时, 薄膜具有较好的纳米晶粒和表面结构, 其霍尔迁移率为2.188×104 cm2/V·s, 最小电阻率为1.326×104 Ω·cm, 其薄膜透光率最高, 且在紫外区有一个相对较强的发射峰。
Co-ZnO薄膜 电阻率 霍尔迁移率 透射光谱 光致发光谱 thin ZnO∶Co film resistivity hall mobility transmittion spectrum photoluminescent spectrum
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, CHN
Catalytic Chemical Vapor Deposition Hall Mobility Micro-crystalline Silicon