制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案，在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极，研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响。结果表明，当完成高温推阱后，在650~750 ℃温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高，同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明，硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低。与常规扩散工艺相比，采用在700 ℃下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2 Ω/□，所得相应太阳能电池光电转换效率Eff达到18.69%，比产线工艺提高约0.23%。

采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜, 通过氢退火对BZO进行处理, 然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明: 在氢气气氛下退火后, BZO薄膜的载流子浓度基本无变化, 但Hall迁移率显著提高, 这使得BZO薄膜的导电能力提高; 当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时, 非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4 mA/cm2, 电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。

采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜, 研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明: 在氢气气氛下退火后, BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化, 但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明: 在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变, 但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。

采用溶剂热法成功地制备出了YVO4∶Tm3+纳米荧光粉, 并用X射线衍射仪 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM)、紫外分析仪、紫外可见 (UV-Vis) 吸收光谱和光致发光 (PL) 光谱对YVO4∶Tm3+纳米荧光粉进行测试和表征。实验结果表明, YVO4∶Tm3+纳米荧光粉可发出明亮的蓝光, 色纯度和发光强度都很高, 而且具有良好的热稳定性。因此, YVO4∶Tm3+纳米荧光粉是一种十分适用于场发射显示器的荧光粉。

采用两种简单的多孔硅后处理方法，即阴极还原和酸处理来提高多孔硅的发光特性。结果表明，对多孔硅进行阴极还原处理，能明显改善多孔硅的稳定性; 对多孔硅进行酸处理，能有效提高多孔硅的发光强度。结合阴极还原和酸处理两实验技术的特点，对所制备的多孔硅先进行阴极还原处理，再进行酸处理，结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。