1 合肥工业大学 微电子学院, 合肥 230009
2 昆山睿翔讯通通信技术有限公司, 江苏 昆山 215300
提出了一种稳定性高、瞬态特性良好、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用推挽式微分器检测负载瞬态变化引起的输出电压变化, 加大对功率管栅极寄生电容的充放电电流, 增强系统的瞬态响应能力; 在误差放大器后接入缓冲级, 将功率管栅极极点推向高频, 并采用密勒电容进行频率补偿, 使系统在全负载范围内稳定。基于TSMC 65 nm CMOS工艺进行流片, 核心电路面积为0035 mm2。测试结果表明, 最低供电电压为11 V时, 压降仅为100 mV, 负载电流1 μs内在1 mA和150 mA之间跳变时, LDO的最大输出过冲电压与下冲电压分别为200 mV和180 mV。
低压差线性稳压器 无片外电容 频率补偿 瞬态增强 low dropout regulator (LDO) capacitor-less frequency compensation transient enhancement
1 湘潭大学物理与光电工程学院，湖南湘潭 411105
2 微光电与系统集成湖南省工程实验室，湖南湘潭 411105
设计了一种片上集成的高精确度、低功耗、无片外电容的低压差线性稳压器( LDO)。采用一种新型高精确度、带隙基准电压源电路降低输出电压温漂系数；采用零功耗启动电路和支路较少的摆率增强模块降低功耗，该电路采用 CSMC 0.5 μm CMOS工艺。经过 Cadence Spectre仿真验证，输出电压为 3.3 V，在3.5~5.5 V范围内变化时，线性调整率小于 0.3 mV/V，负载调整率小于 0.09 mV/mA，输出电压在 -40~+150 ℃范围内温漂系数达 10 ppm/℃，整个 LDO消耗17.7 μA的电流。
低压差线性稳压器 带隙基准电压源 高精确度 低功耗 Low Dropout Regulator bandgap voltage reference high precision low power consumption 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(2): 297
1 中国科学院 电子学研究所，北京 100190
2 中国科学院大学，北京 100190
提出了一种新型的应用于低压差线性稳压器(LDO)的斜坡软启动电路，其采用两路斜坡使能信号以及一路斜坡基准信号，消除了电源上电时产生的浪涌电流。该斜坡软启动电路已应用于一款LDO 中，并采用0.35 μm CMOS 工艺实现流片，其仅占LDO 有效面积的8.3%，消耗电流仅600 nA。仿真以及测试结果显示，采用该软启动电路之后，LDO 的上电浪涌电流得到有效抑制。LDO 在最差情况下的线性调整率为2.7 mV/V，负载调整率为0.064 mV/mA。
低压差线性稳压器 浪涌电流 斜坡使能 软启动 Low-Dropout Regulator in-rush current ramp-enabling soft-start 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(1): 159
