Eu²⁺?激活A₂CaPO₄F（A=K，Rb）荧光粉因具有优异的发光性能而引起研究人员的重点关注。然而，Eu²⁺掺杂格位占据和光谱指认及其光谱调控机制依然不甚清楚。本文采用密度泛函理论系统计算了Eu²⁺占据不同晶体学格位时的缺陷形成能及光学跃迁能量，以此为基础对发射光谱进行指认。结果表明，K₂CaPO₄F∶Eu²⁺位于660 nm附近和480 nm附近的发射峰虽然都来自Eu²⁺占据在K格位，但二者的电荷补偿方式不同：前者两个配位F原子被O原子取代，同时与其中一个O原子近邻的K原子被Ca原子取代；后者只有一个配位F原子被O原子取代。Rb₂CaPO₄F∶Eu²⁺位于480 nm附近的发射峰来自Eu²⁺占据Rb格位，电荷补偿方式为：两个配位F原子被O原子取代，同时与两个O原子都相邻的K原子被Ca原子取代。此外，对Eu²⁺占据格位的配位环境和电子结构进行分析，讨论了其与光谱发射峰位置之间的变化关系。本工作不仅诠释了实验现象，还可以为实验上进一步优化荧光粉发光性能提供理论参考。

反应烧结碳化硅（Reaction Bonded SiC， RB-SiC）因具有密度小、导热系数大、热稳定性好等优异性能，被公认为是理想的空间大型反射镜制造材料。然其成形后在表面精密加工过程中易引入加工损伤，故本文开展柔性刻划实验，探究砂带柔性磨削工艺对该材料加工性能的影响。通过刚性/柔性两种接触状态下单颗金刚石磨粒刻划RB-SiC材料的对比实验研究，获得柔性刻划下平均亚表面损伤率为0.677，而刚性刻划下为0.823。基于此，开展不同法向压力、磨粒角度、刻划速度等条件下的正交刻划实验研究，结果表明，法向压力与磨粒角度对材料损伤的影响更为重要；同时，随着法向压力的增大、磨粒角度的减小以及刻划速度的增大，材料损伤程度增加。最后，通过多颗金刚石磨粒刻划实验研究，得出结论：与单颗金刚石磨粒刻划相比，材料表面无严重破碎及损伤，且亚表面损伤层深度小于10 μm。该研究将为砂带柔性磨削加工反应烧结碳化硅材料提供基础指导。

共掺Rb⁺、Zn²⁺得到了（Cs_0.8Rb_0.2）（Pb_0.93Zn_0.07）（Br_1.8Cl_1.2）蓝光钙钛矿量子点。相比未掺杂的CsPb（Br_1.8Cl_1.2）量子点，Rb⁺、Zn²⁺与卤素离子（Br^-、Cl^-）形成更加稳定的钙钛矿八面体晶型，抑制了Cl^-空位缺陷的形成，提高了量子点的稳定性。掺杂后的量子点溶液光致发光效率从未掺杂的5%显著提高到52%，同时辐射复合也得到了显著增强。Rb⁺、Zn²⁺共掺使量子点的HOMO能级上移0.31 eV，降低了从空穴传输层（HTL）到发光层（EML）的注入势垒，有利于空穴注入。基于Rb⁺、Zn²⁺共掺的蓝光钙钛矿量子点，设计了结构为ITO/PEDOT∶PSS/TFB/Pe-QDs/TPBi/LiF/Al的发光二极管器件，得到发光峰位于470 nm、半峰宽为19 nm的蓝光发射，最大外量子效率（EQE_max）达到3.55%。