Full-in-cell(FIC)产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构, 使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蚀设备进行N+ Etch时, 氯的化合物会吸附在信号线中的Al线侧壁及光刻胶的表面, 当玻璃基板离开刻蚀腔体接触到空气, 遇到水分发生水解反应, 对Al线造成腐蚀, 严重影响产品特性。本文在RIE刻蚀模式腔体内采用刻蚀条件变更改善Al腐蚀现象, 通过对刻蚀的前处理步骤, 后处理步骤以及去静电步骤的参数包括压强、功率和时间以及气体流量比进行实验设计并对数据进行分析。实验结果表明当后处理步骤2 000 W, O2/SF6比例为2 000 mL·min-1/50 mL·min-1, 压强为200 mt(1 mt=0.133 Pa), Time为15 s为最优条件, 可以彻底改善Al腐蚀现象。此条件TFT特性方面更加优越, Dark Ion为1.91 μA, Photo Ioff为4.1 pA。

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种: 一是沟道内半导体材料内部的缺陷，另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加，进而对TFT造成破坏。分析研究表明，TFT 沟道在刻蚀完成后，沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱，平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应，导致铟的析出，所以无法采用氢处理。理论分析表明Si-O键稳定，本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流。结果表明，通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后，高温光照漏电流从18.19 pA下降到5.1 pA，可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流。