本文重点研究了降解型光控取向技术的制作工艺及其对产品性能的影响。通过分析不同光配向工艺参数下配向膜各向异性的数值可知，随着UV光光积量的增大和二次固化时间的延长，配向膜的各向异性值都有先升高后降低的趋势。测试材料在550 mJ/cm2和30 min的条件下，配向能力最优；配向膜材料二次固化温度在250 ℃以内时对配向性的影响是随温度升高，配向膜的各向异性值有直线上升趋势。通过改变光配向的工艺条件测试TFT特性的变化，发现完整的光配向工艺对TFT特性无明显影响。本文还分析了光配向形成的配向膜的低预倾角(约0.2°)对产品性能的影响，从结果可知，低预倾角下产品的对比度可达到1 500以上，与摩擦型产品对比提升了约50%。

Full-in-cell(FIC)产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构, 使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蚀设备进行N+ Etch时, 氯的化合物会吸附在信号线中的Al线侧壁及光刻胶的表面, 当玻璃基板离开刻蚀腔体接触到空气, 遇到水分发生水解反应, 对Al线造成腐蚀, 严重影响产品特性。本文在RIE刻蚀模式腔体内采用刻蚀条件变更改善Al腐蚀现象, 通过对刻蚀的前处理步骤, 后处理步骤以及去静电步骤的参数包括压强、功率和时间以及气体流量比进行实验设计并对数据进行分析。实验结果表明当后处理步骤2 000 W, O2/SF6比例为2 000 mL·min-1/50 mL·min-1, 压强为200 mt(1 mt=0.133 Pa), Time为15 s为最优条件, 可以彻底改善Al腐蚀现象。此条件TFT特性方面更加优越, Dark Ion为1.91 μA, Photo Ioff为4.1 pA。

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比, 存在沟道界面粗糙, Ioff偏大问题, 通过优化膜层结构, 改善界面状态, 得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度, 可以有效减少Al的渗透, 防止Al-Si化合物的形成, 得到界面平整的沟道; N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大, 增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低; PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大, 都可以减少沟道缺陷, 而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用, 减少了沟道表面Al-Si化合物, 但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加; 采用bottom Mo加厚, N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件, 可以得到沟道界面良好, TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种: 一是沟道内半导体材料内部的缺陷，另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加，进而对TFT造成破坏。分析研究表明，TFT 沟道在刻蚀完成后，沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱，平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应，导致铟的析出，所以无法采用氢处理。理论分析表明Si-O键稳定，本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流。结果表明，通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后，高温光照漏电流从18.19 pA下降到5.1 pA，可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流。

为了对TFT-LCD中的闪烁不良进行改善，本文通过研究TFT-LCD中干法刻蚀（Nplus Etch）对TFT特性的影响，以此对刻蚀条件（Power、Gas）进行优化，达到降低Photo-Ioff的目的。实验结果表明，当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4 k/5 k、Press=90 mT、SF6/O2=1.1 k/3 kml/min，AT Step条件为：Source/Bias=2 k/2 k、Press=100 mT、SF6/O2=3 k/3 kmL/min时，Photo-Ioff由量产最初的58.15降至20.52，闪烁由15%~30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对TFT特性以及闪烁有明显改善效果。

对TFT-LCD器件氧化铟锡（ITO）层无退火新工艺进行了深入研究，通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺（PI）膜固化过程同步进行，简化了工艺过程，节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同，可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀，氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好，无鼓包、麻点等，也没有反应产物生成；经过TFT特性测试发现，无退火工艺比高温退火工艺条件下，无论暗态还是光照状态，开电流没有明显区别，漏电流可降低44%；通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。

利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明, 过度的富硅化将显著增大体系的界面态, 严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时, 开关比(Ion/Ioff)可达3.24×107。适当增加功率同样可以提高Ion, 但高于31.5 W/cm2后, 只会严重地增大薄膜的应力。优化SiNx∶H的沉积参数, 开关比可以提高5.5倍。