氢损现象是导致光纤出现附加吸收损耗的重要因素。以内包层下凹型弯曲不敏感G.657光纤为实验用光纤，分析了弯曲不敏感G.657光纤结构与衰减因素，阐述了氘气消除光纤氢敏感性机理，并设计了光纤氢损实验对氘气处理配方进行了定量数据测试。通过调整氘气的浓度和处理时长两项关键参数，得到了不同实验条件下光纤的附加衰减值。对比实验结果和追踪复测结果均表明，0.9%氘气浓度和80 h氘气处理时长是适合降低弯曲不敏感G.657光纤氢损的氘气处理配方。

提出了一种以Topas环烯烃共聚物为基底，采用级联六边形单元多孔纤芯结构的宽频带高双折射太赫兹光子晶体光纤。采用全矢量有限差分法对其导波特性进行分析，结果表明：在工作频率为3.5 THz处，得到0.096 5（接近10^-1）的超高双折射，10^-12 dB/cm的超低限制损耗，以及小于1 cm^-1的有效材料吸收损耗。此外，所提出的结构在2.25~5 THz的频带内表现出±0.2 ps/THz/cm的近零平坦色散。该光纤所实现的双折射值不仅是迄今已知太赫兹聚合物光纤中最高的，而且其新颖的多孔纤芯结构设计有效降低了太赫兹波的传输损耗。同时，光纤结构均采用圆形空气孔，便于工程制备，该工作对今后太赫兹光子晶体光纤的发展具有一定的参考价值。