提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅, 以调变寄生的深槽电容(CDT), 使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧, 通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷, 在深槽另一侧, 通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强, 器件性能获得提高。仿真结果表明, 当击穿电压VB为450 V时, 器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm2, 优值达21.3 MW/cm2, 优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。

利用高温固相法制备NaMg4-xCax(VO4)3∶0.01Eu3+(x=0~2)、NaMg2.1Ca1.9-y(VO4)3∶yEu3+(y=0~0.19)、NaMg2.1Ca1.9-y(VO4)3∶yEu3+,yX-(X=Cl,F)和NaMg2.1Ca1.9-2y(VO4)3∶yEu3+,yM+(M=Li,Na,K)系列荧光粉, 采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对样品进行了结构和性能表征。探讨基质结构变化和Li+、Na+、K+、F-、Cl-等阴阳离子的电荷补偿作用对VO3-4和Eu3+发光性能的影响以及能量传递机理。研究表明立方相NaMg2Ca2(VO4)3比四方相NaMg4(VO4)3更能被紫外光有效激发, 同时发射基质的蓝绿光和铕离子的红光, 且VO3-4和Eu3+之间的能量传递效率达到42.21%。电荷补偿剂能显著提高Eu3+的发射强度, 同时基质发光强度减弱表明电荷补偿剂增强了基质与激活剂离子间的能量传递。通过控制合成条件可以得到单一基质白光发射荧光粉。

采用高温固相法合成了SrMoO4:Pr3+,B3+,Li+新型橙黄色荧光材料，并对其结构、形貌和发光性质进行了研究。X射线衍射(XRD)测量结果表明在1200 ℃下制备的样品为纯相SrMoO4晶体。样品的形貌在扫描电镜(SEM)显示下有不规则的外形但分散性良好。掺杂电荷补偿剂的荧光粉样品激发光谱由电荷转移跃迁(CT)带和Pr3+离子的特征激发峰组成，主激发峰位于448 nm(3H4→3P2)、473 nm(3H4→3P1)和487 nm(3H4→3P0)；其发射光谱由一系列锐谱峰组成，分别位于529 nm(3P1→3H4,5)、545 nm，553 nm(3P0→3H5)、600 nm(1D2→3H4)、617 nm(3P0→3H6)和645 nm(3P0→3F2)，最强发射峰为645 nm。B3+和Li+的掺入，能明显提高该荧光粉的激发与发射峰的强度，最佳掺杂摩尔分数为0.15% B3+和0.35% Li+。

采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉，并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明，非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高，颗粒分布更窄，晶面清晰，团聚程度小，相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270~500 nm的双峰宽带，最强激发峰位于417 nm处。发射光谱为450~700 nm的单峰宽带，峰值位于525 nm处。电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响较大，外加Al3+置换Si4+作为电荷补偿剂比外加Li+置换Sr2+的效果更好。

采用高温固相法制备了稀土Pr3+激活的Ca1-xPrxMoO4(0.005 ≤ x≤ 0.02) 系列红色荧光粉。荧光光谱表明: 在453 nm激发下, 样品产生了红光发射, 其中对应于Pr3+的特征跃迁3P0→3F2位于654 nm的红色发射峰最强。分析了Pr3+的掺杂摩尔分数x对样品发光强度的影响, 确定Pr3+的最佳掺杂摩尔分数为0.01。为进一步改善样品的发光效率, 在样品制备过程中分别采用了两种电荷补偿方式: 用1个Pr3+和1个M+(M=Li,Na)离子取代2个Ca2+离子或用2个Pr3+离子取代3个Ca2+离子。实验结果表明: 采用两种电荷补偿方法后, 样品的红色发光强度均明显增强, 尤其是加入Li+后的Ca0.98Pr0.01Li0.01MoO4样品的发光强度达到了未补偿样品的3.17倍。

采用高温固相法合成了Sr2ZnMoO6∶Sm3+新型红色荧光材料，并对其发光特性进行了研究。XRD测量结果表明所制备样品为纯相Sr2ZnMoO6晶体。样品的发射光谱由一系列锐谱组成，分别位于563 nm(4G5/2→6H5/2)、598 nm(4G5/2→6H7/2)、607 nm(4G5/2→6H7/2)和645 nm(4G5/2→6H9/2),最强发射为645 nm。样品激发光谱由电荷迁移带CT和Sm3+离子的特征激发峰组成，主激发峰位于284 nm(CT)和403 nm(6H5/2-4L13/2)。 随着Sm3+浓度的增大, Sr2-xZnMoO6∶xSm3+材料的发光强度先增大后减小, 在x≥2%时，发生浓度猝灭现象。根据Dexter理论分析其猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。比较了Li+、Na+和K+作为电荷补偿剂的作用,发现均使Sr2ZnMoO6∶Sm3+材料的发射强度得到增强,但以Li+补偿效果最为显著。

采用高温固相法制备系列红色荧光粉NazCa1-x-2y-zBiyMoO4∶Eu3+x+y(y， z=0， x=0.24， 0.26， 0.30， 0.34， 0.38； x=0.30， y=0.01， 0.02， 0.03， 0.04， 0.05， 0.06， 0.07， z=0； x=0.30， y=0.04， z=0.38)。 用X射线粉末衍射 (XRD)法测试了所制样品晶相结构。 采用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了表征， 结果表明: 当Eu3+单掺杂量浓度x=0.30时， 荧光粉(Ca0.70MoO4∶Eu3+0.30)的发光强度最强； 当Eu3+-Bi3+共掺杂量浓度y=0.03时， 电荷迁移带(CTB) 强度达到最强， 而对于Eu3+特征发射峰， 当共掺杂浓度y<0.03时， 位于393 nm处的激发峰强度比464 nm强， 共掺浓度y>0.03时， 464 nm峰比393 nm峰强， 共掺浓度为y=0.04时， 393和464 nm处两峰位置强度都达到最强。 作为电荷补尝剂的Na2CO3掺入上述荧光粉中后， 荧光粉激发和发射强度明显地增强。 结果表明， 通过调节Bi3+/Eu3+掺杂比例可以改变位于近紫外光393 nm和蓝光区464 nm处激发光相对强度。

采用高温固相法合成了Zn0.85Tb0.15MoO4绿色荧光粉,利用XRD和荧光光谱仪对样品进行了测试表征。XRD测试结果表明,在800°C温度下烧结能形成ZnMoO4纯相。激发光谱由MoO42-的电荷迁移宽带(CT)和Tb3+离子特征激发峰组成;研究发现,掺杂了K+离子后电荷迁移带峰位位置向短波方向移动;分析了碱土金属离子K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响,发现加入电荷补偿剂可大大提高样品的发光强度。该荧光粉的发射光谱光由位于487 nm,543 nm,584 nm,620 nm处的四组发射峰组成,分别对应Tb3+的5D4-7F6(487 nm),5D4-7F5(543 nm),5D4-7F4(584 nm)和5D4-7F3(620 nm)能级跃迁,而5D4-7F5(543 nm)的跃迁发射最强。