为了提高Sm³⁺在CaMgSiO₄中的发光性能，采用高温固相法制备了Li⁺作为电荷补偿剂掺入CaMgSiO₄∶Sm³⁺的硅酸盐发光材料。实验结果表明，所制备的CaMgSiO₄∶x Sm³⁺，y Li⁺样品均为纯相，Sm³⁺和Li⁺的掺入并没有导致晶体结构的改变。在400 nm近紫外波长激发下，CaMgSiO₄∶Sm³⁺的发射峰分别位于562、576、601、650 nm处，这是由Sm³⁺的4f-4f跃迁引起的。此外，从共掺杂样品的光谱中可以看出Li⁺的掺入明显提高了Sm³⁺的发光强度和发射峰积分面积。荧光粉的色坐标在红色区域（0.605，0.394）且色纯度高达93.3%。当温度升到150 ℃时，发射峰的峰值强度保持在室温时的73.5%，这表明该荧光粉具有较好的热稳定性。以上结果表明，该荧光粉在固体照明领域具有潜在的应用前景。

提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅, 以调变寄生的深槽电容(CDT), 使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧, 通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷, 在深槽另一侧, 通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强, 器件性能获得提高。仿真结果表明, 当击穿电压VB为450 V时, 器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm2, 优值达21.3 MW/cm2, 优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。

利用高温固相法制备NaMg4-xCax(VO4)3∶0.01Eu3+(x=0~2)、NaMg2.1Ca1.9-y(VO4)3∶yEu3+(y=0~0.19)、NaMg2.1Ca1.9-y(VO4)3∶yEu3+,yX-(X=Cl,F)和NaMg2.1Ca1.9-2y(VO4)3∶yEu3+,yM+(M=Li,Na,K)系列荧光粉, 采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对样品进行了结构和性能表征。探讨基质结构变化和Li+、Na+、K+、F-、Cl-等阴阳离子的电荷补偿作用对VO3-4和Eu3+发光性能的影响以及能量传递机理。研究表明立方相NaMg2Ca2(VO4)3比四方相NaMg4(VO4)3更能被紫外光有效激发, 同时发射基质的蓝绿光和铕离子的红光, 且VO3-4和Eu3+之间的能量传递效率达到42.21%。电荷补偿剂能显著提高Eu3+的发射强度, 同时基质发光强度减弱表明电荷补偿剂增强了基质与激活剂离子间的能量传递。通过控制合成条件可以得到单一基质白光发射荧光粉。

硅铝酸盐由于其化学性质稳定、 原材料易得, 是发光材料的一种有效基质, 所以受到广泛关注。 其中, 硅铝酸锶(Sr2Al2SiO7)属于四方晶系, 具有稳定的晶体学结构。 Sm3+作为一种常用的激活剂, 其特征峰在波段300~750 nm内都有分布, 有些特征激发峰位于近紫外光区, 在近紫外区有强的吸收。 因此, 以Sr2Al2SiO7为基质、 Sm3+为激活剂可以制备出符合LED要求的红色荧光粉。 本工作采用高温固相法合成一系列Sr2-x-yAl2SiO7∶x%Sm3+, y%Li+荧光粉。 通过X射线衍射(XRD)、 光致荧光光谱(PL)、 绝对量子效率测量系统对样品的晶体结构、 发光特性以及内量子效率进行表征和测量, 并且对样品的XRD进行精修, 色纯度计算。 结果表明: 合成样品均为单相Sr2Al2SiO7, 掺杂Sm3+和电荷补偿剂Li+后, 没有引起相变。 相对于其他阳离子Sm3+(r=1.079 )、 Li+(r=0.920 )的半径与Sr2+(r=1.260 )半径最为相近, 因此更容易替代Sr2+的格位, 并且两种离子半径比Sr2+小而使得样品晶体结构参数a, b, c和v逐渐减小。 样品的最佳激发峰在403 nm处, 相比于Ca3Y2(Si3O9)2∶Sm3+的激发峰出现了3 nm蓝移, 表明样品在近紫外光下有较强的吸收, 这种长紫外波长的光有利于在照明领域的应用。 在403 nm近紫外光激发下, 可以看出, 在500～750 nm范围内, Sm3+的发射峰位于564 nm(4G5/2→6H5/2), 601 nm(4G5/2→6H7/2), 648 nm(4G5/2→6H9/2)和713 nm(4G5/2→6H11/2), 其中601 nm发射峰强度最大, 使样品呈现强烈的橙红色光。 发射峰在607与618 nm处出现劈裂现象, 是因为晶体场的相互作用引起了能级劈裂。 单掺Sm3+的发射光谱强度随着浓度的增加先增大后减小, 当掺杂浓度为2%时发光强度最大。 利用Blasse提出的能量传递临界距离公式, 计算得出临界距离RC≈19.734 , 从而说明了浓度猝灭原因是Sm3+之间的多级相互作用。 根据Dexter理论, 计算出多极相互作用函数θ≈6, 表明Sr2-xAl2SiO7∶x%Sm3+的浓度猝灭机理是电偶极-电偶极(d-d)相互作用。 为进一步提高发光强度, 掺杂了电荷补偿剂Li+, 使晶体内部电荷达到平衡。 实验结果表明, Li+最佳掺杂浓度为2%, 与未加入电荷补偿剂相比, 发光强度提高了2倍并测试其内量子效率为43.6%。 荧光粉色坐标均在(0.60, 0.39)附近, 位于橙红色区域, 具有较高色纯度(约92.2%)。 该荧光粉在三基色白光LED中的红色成分有应用潜力。

通过高温固相法制备了用于紫外激发的系列SrBPO5∶Dy3+荧光粉, 并对样品进行了XRD分析和发光性能测试。 结果表明, 合成样品为单一相的SrBPO5材料; 在388 nm紫外光激发下, 样品的发射光谱包括485和575 nm两个发射峰。 研究了Dy3+浓度, Mg2+加入量, 烧结温度以及电荷补偿剂对发射光谱的影响。 当Dy3+掺杂摩尔浓度为4 mol%时发光强度最强; 随着Mg2+的加入量的增加B/Y峰的强度比不断增加; 最佳烧结温度为1 100 ℃; Na+作为电荷补偿剂效果最佳。 该荧光粉有较强的黄色发射峰, 可以增强UV激发的白光LED的黄光成分从而提高其穿透雾霾的能力。

采用高温固相法合成了Li+、Na+、K+和Si4+作为电荷补偿剂的Ca2.96Eu0.04(PO4)2白光LED用红色荧光粉。采用X射线衍射仪、荧光光谱仪对材料的物相和发光性能进行了表征。 样品的激发光谱由200～310 nm的电荷迁移带和310～500 nm的锐线光谱组成, 其中396 nm的激发强度最大。发射光谱主要由5D0→7F1(593 nm)和5D0→7F2(616 nm)跃迁导致的发射峰构成。掺入Li+、Na+、K+和Si4+可以有效提高Ca2.96Eu0.04(PO4)2荧光粉的发光强度, 同时对荧光粉的寿命和色坐标影响不大。荧光粉的色坐标均位于红色区域。

采用高温固相反应法制备了Dy3+掺杂铋层结构铁电氧化物CaBi2Ta2O9（CBTO）荧光粉。分别对样品进行了X射线衍射（XRD）分析、扫描电镜（SEM）测试和荧光光谱(PL)的测定。研究表明：荧光粉CBTO:Dy3+的最强激发峰为450 nm，与商用蓝光LED 的发射光波长相匹配，发射带峰值位于574 nm，对应于Dy3+的电偶极跃迁4F9/2→6H13/2。分析了Dy3+摩尔分数对样品发光强度的影响，其最佳摩尔分数为7%，根据Dexter 理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。分别研究了电荷补偿剂Li+、Na+和K+对CBTO:Dy3+发射光谱的影响，结果显示不同的电荷补偿剂均能不同程度地提高样品的发光强度。

采用高温固相法合成了SrMoO4:Pr3+,B3+,Li+新型橙黄色荧光材料，并对其结构、形貌和发光性质进行了研究。X射线衍射(XRD)测量结果表明在1200 ℃下制备的样品为纯相SrMoO4晶体。样品的形貌在扫描电镜(SEM)显示下有不规则的外形但分散性良好。掺杂电荷补偿剂的荧光粉样品激发光谱由电荷转移跃迁(CT)带和Pr3+离子的特征激发峰组成，主激发峰位于448 nm(3H4→3P2)、473 nm(3H4→3P1)和487 nm(3H4→3P0)；其发射光谱由一系列锐谱峰组成，分别位于529 nm(3P1→3H4,5)、545 nm，553 nm(3P0→3H5)、600 nm(1D2→3H4)、617 nm(3P0→3H6)和645 nm(3P0→3F2)，最强发射峰为645 nm。B3+和Li+的掺入，能明显提高该荧光粉的激发与发射峰的强度，最佳掺杂摩尔分数为0.15% B3+和0.35% Li+。

采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉，并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明，非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高，颗粒分布更窄，晶面清晰，团聚程度小，相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270~500 nm的双峰宽带，最强激发峰位于417 nm处。发射光谱为450~700 nm的单峰宽带，峰值位于525 nm处。电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响较大，外加Al3+置换Si4+作为电荷补偿剂比外加Li+置换Sr2+的效果更好。