应用电子束在真空条件下沉积氧化铟锡(Indium-Tin Oxide,ITO)薄膜,研究不同生长条件(温度、速率、厚度及氧气流量)对ITO薄膜光电特性的影响,结果表明ITO薄膜表面微结构随着沉积温度上升逐渐变得平整,晶体结构强烈地依赖于ITO薄膜生长过程的沉积速率,氧气流量会影响ITO薄膜晶体结构的完整性,氧空位会引起晶体结构变化造成薄膜光电特性差异,适中的沉积速率会得到致密性较好的ITO薄膜,通过实验研究,为LED生产ITO薄膜工艺提供一定的技术依据。
制备工艺 微结构 光电特性 沉积速率 氧空位 process micro structure photo-electrical properties deposition rate compact oxygen vacancy
