制备了不同厚度下的CTi颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜，研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波，对器件进行电形成，结果表明:颗粒膜厚度为69 nm的器件开启电压为32 V，在33 V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855 nm的器件开启电压为15 V， 在23 V时发射效率最高; 颗粒膜厚度为69 nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855 nm的器件。
碳钛颗粒膜 表面传导电子发射 薄膜厚度 电子发射率 CTi granular films surface conduction electron emission film thickness electron emission efficiency
