制备了不同厚度下的CTi颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69 nm的器件开启电压为32 V,在33 V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855 nm的器件开启电压为15 V, 在23 V时发射效率最高; 颗粒膜厚度为69 nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855 nm的器件。
碳钛颗粒膜 表面传导电子发射 薄膜厚度 电子发射率 CTi granular films surface conduction electron emission film thickness electron emission efficiency
Key Laboratory for Optical Measurement and Thin Film of Shannxi Province, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China
electroforming Al-AlN granular films surface-conduction electron-emission display (SED) resistivity Frontiers of Optoelectronics
2011, 4(4): 462