西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室，陕西 西安 710049
提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜，该导电薄膜在中间位置向内有凹陷，基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理，会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成，控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响，测试了电子发射性能，得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明，这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置，有利于改进表面传导电子发射的均匀性，在阳极高压20 kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14 V时，新型结构导电薄膜实现了均匀发光，发射电流最大为18 μA。
表面传导电子发射 内陷型导电薄膜 电形成 SED[new conductive film structure electro forming process
制备了不同厚度下的CTi颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜，研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波，对器件进行电形成，结果表明:颗粒膜厚度为69 nm的器件开启电压为32 V，在33 V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855 nm的器件开启电压为15 V， 在23 V时发射效率最高; 颗粒膜厚度为69 nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855 nm的器件。
碳钛颗粒膜 表面传导电子发射 薄膜厚度 电子发射率 CTi granular films surface conduction electron emission film thickness electron emission efficiency
福州大学 场致发射显示技术教育部工程研究中心, 福州 350002
研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响。借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数。结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40～50 mJ／cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础。
表面传导电子发射显示器 光刻 旋涂 曝光剂量 前烘 SED lithography spin coating exposure dose prebak
