细胞超微结构的原位解析是当前的一个研究热点。冷冻电子断层扫描成像技术（cryo-ET）是目前细胞原位结构解析的核心技术。cryo-ET只能对厚度小于300 nm的样品进行成像，因此利用cryo-ET研究细胞超微结构时首先需要对细胞进行减薄。聚焦离子束（FIB）切割是目前冷冻生物样品减薄的主流技术。传统FIB切割只能在细胞的任意位置上进行“盲切”，无法对细胞内部特定研究目标进行定点切割。光电融合成像技术（CLEM）恰可解决这一问题。CLEM利用荧光成像技术识别并定位研究目标，通过光电图像的关联匹配，可在FIB图像中确定荧光目标的位置，进而指导FIB的定点减薄。针对荧光导航cryo-FIB减薄的相关技术方法、仪器设备和工作流程进行了梳理，分析对比了主流方案的优缺点，旨在帮助研究者选择出合适的荧光导航FIB减薄方案，并对该技术的未来发展方向进行了展望。

用Ar＋离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔, 利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现, 在相同的刻蚀条件下, n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时, n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小；当汞空位浓度一定时, n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加.

导电类型转换(CTC)描述了掺杂或非故意掺杂碲镉汞(MCT)材料导电特性的p-to-n或n-to-p 的改变过程。对CTC机制的深入理解涉及物理、电学和化学等多种学科。迄今为止的相关进展主要是经验性的。主要通 过对近年来部分英文文献进行归纳分析，以离子束研磨工艺为重点，介绍了MCT/CTC的研究进展。

根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。

提出了一种制作128×128球冠型GaAs凹折射微透镜阵列新的方法&&曲率倒易法.扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹球冠面阵列,表面探针测试结果显示阵列表面光滑、单元重复性好,其凹深为1.268μm,焦距为-352.04μm.

提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作.扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到3861.70μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过200μm的相同尺寸的微透镜阵列.微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合,显著改善了红外焦平面阵列器件的响应特性.

提出了一种补偿刻蚀法：在经过常规光刻热熔成形和离子束刻蚀技术制成的硅微透镜阵列上再涂敷几层光刻胶,以降低各单元微透镜的曲率,然后再次进行加热固化和离子束刻蚀。扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的球冠形阵列,表面探针测试结果显示用补偿刻蚀法制作的微透镜的F数和F′数分别可达到31.62和35.8<参考文献原文>而常规光刻热熔法很难制作出F数和F′数分别超过1.00和4.00的微透镜阵列。光学填充因子也由常规方法的64.3%提高至78.5%,并且微透镜的点扩散函数也更接近理想值。