作者单位
摘要
大连理工大学 高性能精密制造全国重点实验室,辽宁大连116024
针对固结磨料研磨石英晶片材料去除率难以预测的问题,提出一种基于接触力学和广义回归神经网络(GRNN)的石英晶片材料去除率模型。首先根据脆/塑材料去除机理、磨粒块与晶片微观接触简化形式,采用微积分、力平衡原理等方法,建立了理想情况下的材料去除率模型。然后采用微单元法,进行了三因素四水平正交试验,并通过GRNN分析研磨液流量、研磨液浓度、研磨盘转速与材料去除率修正系数的映射关系,进一步完善了材料去除率模型。最后为验证材料去除率模型,设定研磨盘转速为20 r/min,研磨液浓度为5 wt.%,研磨液流量为36 ml/min,仿真并测量不同研磨压强以及相对速度下,晶片材料去除率预测值与实际值。结果表明:研磨压强和相对速度的增加使晶片材料去除加快,材料去除率模型预测值与实际值变化趋势相同,模型误差为8.57%。材料去除率模型基本满足固结磨料研磨工艺中石英晶片材料去除率预测需求。
固结磨料研磨 石英晶片 材料去除率 广义回归神经网络 fixed abrasive lapping quartz wafer material removal rate generalized regression neural network 
光学 精密工程
2023, 31(16): 2362
作者单位
摘要
1 华侨大学 制造工程研究院,福建厦门3602
2 福建晶安光电有限公司,福建泉州36411
双面研磨作为蓝宝石衬底制备的一道重要工序,研磨表面裂纹深度将严重影响后续抛光的材料去除量,因此对研磨衬底表面裂纹特征研究及深度测量具有重要意义。本文采用截面显微观测法、聚焦离子束侧面观测法、差动蚀刻速率法、磁流变抛光法和逐层抛光法等方法观测双面研磨蓝宝石衬底表面裂纹特征和测量裂纹深度。采用截面显微观测法和聚焦离子束侧面观测法观测研磨后蓝宝石衬底亚表面裂纹形态主要有斜线状、横线状、钩状和树杈状。采用差动蚀刻速率法测得蓝宝石衬底研磨表面裂纹密集层厚度为9~10 μm,而采用磁流变抛光法测得研磨衬底局部亚表面裂纹深度为25~30 μm,采用逐层抛光法测得研磨衬底整体亚表面裂纹深度约为30~35 μm。此外,根据不同方法所检测的裂纹特征和裂纹深度,构建了蓝宝石衬底双面研磨表面裂纹模型,为后续抛光工艺的制定与优化提供依据。
蓝宝石衬底 研磨 表面裂纹 裂纹检测 sapphire substrate lapping surface crack crack detection 
光学 精密工程
2023, 31(14): 2060
马荣国 1,2,3,*张庆礼 1,3高进云 1,3孙贵花 1,3[ ... ]刘文鹏 1,3
作者单位
摘要
1 中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥 230031
2 中国科学技术大学,合肥 230026
3 先进激光技术安徽省实验室,合肥 230037
YAG晶体是一种典型硬脆材料,莫氏硬度达8.5,常温下不溶于任何酸碱,加工难度较大。针对YAG晶体研磨加工,本工作提出一种分步研磨工艺。基于游离磨料研磨的方法,在研磨过程中逐级减小碳化硼(B4C)磨料粒径,选用磨料W40、磨料W28、磨料W14、磨料W7分步骤研磨,4种磨料的粒度范围依次为:40~28 μm、28~20 μm、14~10 μm、7~5 μm。通过研磨参数试验研究了每个步骤中研磨压力、研磨盘和摆轴转速、研磨液中B4C质量分数等参数对研磨效果的影响,得出最佳研磨参数;通过截面显微法测量出YAG晶体研磨后亚表面损伤的深度,确定后续抛光去除量,并探究了亚表面损伤深度hSSD与研磨后表面粗糙度Ra的关系。研究表明:当研磨压力为44.54 kPa、研磨盘和摆轴转速为60 r/min、研磨液中B4C质量分数为15%时,每个研磨步骤均取得最好研磨效果:磨料W40、磨料W28、磨料W14、磨料W7研磨的材料去除率分别为83.12、57.32、27.54、9.53 μm/min,研磨后表面粗糙度Ra分别为0.763、0.489、0.264、0.142 μm。截面显微法测量得出分步研磨后产生的亚表面损伤深度为3.041 μm,需要在后续抛光中去除; 此研磨参数下YAG晶体研磨后亚表面损伤深度与表面粗糙度的关系为:hSSD=41.46×Ra4/3,该研究可为YAG晶体元件的实际加工生产提供指导。
钇铝石榴石晶体 研磨 亚表面损伤 材料去除率 表面粗糙度 yttrium aluminum garnet crystal lapping subsurface damage material removal rate surface roughness 
硅酸盐学报
2023, 51(3): 767
作者单位
摘要
南京航空航天大学 机电学院 江苏省精密与微细制造技术重点实验室, 江苏南京210016
磨粒的微破碎是影响固结磨料垫研磨性能的主要因素,结合剂的组成与强度影响其微破碎行为。为实现高效研磨加工,探索不同组份的硅基结合剂聚集体磨粒的制备工艺及其研磨加工性能。在840 ℃,880 ℃,920 ℃温度下采用硅含量不同的结合剂制备聚集体金刚石磨粒,观察其微观形貌,并用其制备固结磨料垫,比较其在7 kPa,14 kPa,21 kPa研磨压力下固结硅基聚集体磨料垫研磨K9玻璃的研磨性能。结合剂中硅含量越高、烧结温度越高,结合剂填充越均匀、孔隙分布越合理,聚集体磨粒研磨加工时微破碎越明显,加工性能随之提升;在21 kPa研磨压力下,结合剂中硅含量最高、烧结温度为920 ℃制得的硅基聚集体金刚石磨料所制成的亲水性固结磨料垫研磨K9玻璃效率最高,材料去除率达到63.32 μm/min,表面粗糙度Ra值为0.515 μm。采用固结硅基聚集体金刚石磨料垫可以实现K9光学玻璃的高效研磨。
高效研磨 固结磨料垫 聚集体金刚石 硅基结合剂 high-efficiency lapping fixed abrasives pads agglomerated diamond abrasives silicon-based bind 
光学 精密工程
2023, 31(6): 839
张玺 1,2朱如忠 1,2张序清 1,2王明华 3[ ... ]皮孝东 1,2
作者单位
摘要
1 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院,浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州 311200
2 浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学院,杭州 310027
3 杭州乾晶半导体有限公司,杭州 311200
4 浙江机电职业技术学院,杭州 310053
研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面:水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。
4H碳化硅 研磨 金刚石磨料 分散介质 材料去除速率 面型参数 4H-SiC lapping diamond abrasive dispersion medium material removal rate surface parameter 
人工晶体学报
2023, 52(1): 48
作者单位
摘要
1 盐城工学院机械学院,江苏 盐城 224051
2 常熟耐素生物材料科技有限公司,江苏 苏州 215500
AlN晶体是一种脆性难加工半导体材料。为了高效率高质量制备AlN晶体衬底,设计了不同化学成分的研磨液研磨AlN晶体,借助激光共聚焦显微镜和X射线光电子能谱仪研究了化学作用对晶体表面材料去除行为的影响。结果表明:碱性研磨液有利于获得最佳研磨结果,材料去除率为23 μm/h,表面粗糙度为Ra为122 nm。在碱性环境下研磨液中金刚石磨粒具有良好的分散性。碱性溶液能够腐蚀晶体表面,形成含碱式铝盐的变质层,并引起表面形貌产生显著改变。研磨界面内,化学作用导致AlN晶体表面产生变质层,便于材料的机械去除,从而有利于提升研磨效率和研磨质量。研究结果可为AlN晶体超精密加工工艺优化提供参考。
氮化铝晶体 研磨 刻蚀 变质层 aluminum nitride single crystal lapping etching metamorphic layer 
硅酸盐学报
2022, 50(9): 2470
姜自波 1,2,*陈哲 1,2刘星涛 1,2焦晓洁 1,2,3陈坤新 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所大口径光学技术研究室, 江苏 南京 210042
2 中国科学院天文光学技术重点实验室, 江苏 南京 210042
3 中国科学院大学, 北京 100049
由于大口径望远镜主镜的拼接子镜为离轴非球面,所以增加了镜面的加工和检测难度。为了进一步提高离轴非球面子镜的加工效率和缩短抛光周期,本文利用预应力加载方法和基于蓝牙传输的接触式二维位移传感器阵列检测方法与相关装置,完成Φ380 mm口径的离轴非球面子镜的研磨实验。首先介绍预应力镜面加工的原理,接下来介绍Φ380 mm微晶玻璃镜面预应力研磨技术的检测方法和加载实验结果,然后介绍预应力研磨的收敛特性,最后利用三坐标测量机和接触式二维位移传感器阵列两种检测方法对研磨镜面的最终面形进行交叉检验。实验结果表明,预应力研磨方法具有可行性和较高的加工效率。
光学制造 预应力研磨 离轴非球面 接触式检测 拼接子镜 蓝牙 
光学学报
2021, 41(16): 1622001
作者单位
摘要
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑, 会因应力作用产生剧烈形变, 翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效, 应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从“损伤层-翘曲度”理论出发, 实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量, 优化后晶圆的翘曲度降低了约20%; 再通过湿法腐蚀去除损伤层, 矫正已产生的翘曲, 使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法, 可使翘曲度下降至之前的10%以内。
InP晶圆 背面减薄 损伤层 翘曲度 湿法腐蚀 InP chip wafers back-thinning lapping warpage wet corrosion 
半导体光电
2020, 41(3): 379
作者单位
摘要
华侨大学机电及自动化学院, 福建 厦门 361021
针对传统固结磨盘因其表面沟槽形式单一而难以保证蓝宝石等硬脆性材料加工质量的问题,提出了一种螺旋-同心圆双图案非均匀耦合结构的新型固结磨盘(DPP)设计,并进行了实验研究。DPP采用螺旋槽作为排屑槽,降低了磨盘表面的堵塞程度,以保证加工表面获得低粗糙度,延长工具使用寿命;采用同心圆槽调整磨盘表面磨粒分布,提高了磨盘对工件材料的去除均匀性,以保证加工表面获得更高的平坦度。基于该设计原理,制备了用于蓝宝石加工的新型磨盘,并与传统网格槽型盘(GGP)进行对比。实验结果表明:采用DPP加工时工件表面的凹坑划痕数量更少,约为GGP的35%;研磨后磨盘表面堵塞程度更低,约为GGP的30%。虽然,采用DPP加工时工件材料去除率较GGP低14%,但是材料去除厚度非均匀性为0.0494,比GGP低32%,表面粗糙度为129.4 μm,比GGP低16.2%。因此,采用DPP加工时工件材料去除分布更均匀,工件表面质量更好。实验结果证明:DPP不仅可以获得更好的工件表面质量,还可以延长磨盘的使用寿命,可满足对高质量表面、大规模生产蓝宝石等脆硬材料的精密研磨加工需求。
表面光学 螺旋-同心圆双图案 材料去除分布 表面粗糙度 表面形貌 研磨 
光学学报
2020, 40(8): 0824001
王文珊 1,2,*胡中伟 1,2赵欢 1,2陆静 1,2[ ... ]徐西鹏 1,2
作者单位
摘要
1 华侨大学 制造工程研究院, 福建 厦门 361021
2 华侨大学 硬脆性材料加工技术教育部工程研究中心, 福建 厦门 361021
针对传统半固结研磨盘由于盘面较软使得加工衬底面形精度难以保证的问题, 提出一种蜂窝状结构的半固结磨料研磨盘的设计与制备方法。该研磨盘采用环氧树脂蜂窝结构作为支撑“骨架”, 减小研磨盘的变形, 以保证研磨衬底的面形精度, 同时采用含有金刚石磨粒的凝胶体作为半固结研磨介质实现对衬底的研磨加工, 获得了较好的衬底表面质量。基于该原理制备了一套新型研磨盘, 并用于蓝宝石衬底的双面研磨加工。试验结果表明, 研磨后衬底表面粗糙度较小, 表面划痕和裂纹少, 能够获得较好的表面质量; 相应地, 研磨后蓝宝石衬底的面形精度不仅没有变差, 反而得到很大的改善, 研磨后衬底的翘曲度、弯曲度和总厚度偏差均大幅减小。另外, 研磨效率也相对较高, 材料去除率可达0.3~0.4 μm/min。试验结果证明了该新型结构研磨盘不仅可以获得较好的表面质量和较高的研磨效率, 同时还可提高衬底的面形精度, 可用于面形精度要求较高的薄片衬底零件的精密研磨加工。
超精密加工 研磨 半固结磨料研磨盘 蓝宝石衬底 面形精度 ultra-precision machining lapping semi-fixed abrasive lapping plate sapphire substrate surface shape accuracy 
光学 精密工程
2019, 27(1): 69

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