在跨时钟域数据传输中, 常因违反触发器的建立时间和保持时间要求而产生亚稳态现象, 导致数据误码。为对亚稳态发生过程进行直观观测, 利用所搭建的亚稳态观测平台, 在建立时间区域对TTL维持阻塞型集成边沿触发器74LS74芯片和CMOS传输门型集成边沿触发器74HC74芯片分别进行了误码测试。测试结果表明, 两芯片性能接近, 在建立时间0.9~1.6ns区间存在0%~100%误码过渡带, 能观测亚稳态过程的直观波形。测试过程中, 发现触发器输入电平上跳变时, 误码率在以上区间存在稳定的单调变化曲线。当触发器输入电平下跳变时, 误码率会从0%瞬变到100%, 实验未观测到过渡带。输入下跳变时, 当延迟参量单向递增或递减时, 瞬变区域不一样, 存在回差现象。

利用可调谐二极管激光吸收光谱技术对低气压氩气介质阻挡放电等离子体进行诊断, 重点考察了Ar亚稳态1s5和1s3的数密度和气体温度随放电电压, 气压, 流量, 极板间距, 以及随N2配比的变化情况。 实验基于朗伯-比尔（Lambert-Beer)定律, 通过计算吸收谱线的吸收峰面积求取Ar亚稳态的数密度, 同时对谱线进行Voigt拟合得到多普勒展宽, 进而求出气体温度。 Ar亚稳态主要由电子碰撞产生, 但同时电子也会碰撞亚稳态发生猝灭作用, 从而使数密度减少; 气体温度则与等离子体的实际功率、 电子的状态以及粒子之间的碰撞有关。 实验结果表明在本实验条件范围内, Ar亚稳态数密度和气体温度随放电电压和流量的增大都先增大, 之后逐渐趋于平缓, 但两者随流量的变化幅度都较之随放电电压的小, 增长较缓慢。 随气压的升高, Ar亚稳态数密度和气体温度先增加并达到一个极大值, 而之后逐渐降低。 实验数据表明, 气压对谱线展宽有较明显的影响作用。 适当增大极板间距, Ar亚稳态数密度明显降低, 但气体温度却有所升高。 N2的加入对亚稳态有很强的猝灭作用, 05%的N2就会使数密度下降50%, 但随着N2浓度的进一步增大, 其数密度不再明显降低。

运用热力学统计中Kramers理论和Wentzel-Kramers-Brillouin(WKB)近似理论，分析了三结磁通量子比特中处于亚稳态粒子的热逃逸和量子隧穿逃逸。 在0.01?4.2 K温度下，计算出了粒子的逃逸率，得到了跳变磁通随磁场和温度变化的分布规律，并同两结超导干涉仪的分布规律进行了定量比较。结果显示， 三结磁通量子比特自身噪声比两结超导干涉仪大。

SiO(b3П)与Na的近共振传能过程是钠原子化学激光的关键步骤。为了对这一过程进行初步的实验研究,建立了一个包括SiO(b3П)合成系统和Na蒸气生成供给系统在内的近共振传能实验装置。通过SiH4热解产物与N2O反应合成了一定浓度的亚稳态储能粒子——SiO(b3П); 在此基础上进行了SiO(b3П)与Na混合传能的实验研究。测到了SiO(b3П)和Na(4d2D)的自发辐射光谱,并且验证了SiO(b3П)与Na近共振传能及Na(4d2D)粒子的存在。进一步研究发现,在SiH4流量为0.09 mmol/s,SiH4载气流量为14.88 mmol/s,N2O流量为0.744 mmol/s,SiH4热解炉温度为1350 K实验条件下,当Na蒸气载气流量(7.44 mmol/s)保持不变时,Na(4d2D)粒子数密度与Na池温度成递增关系; 而当Na池温度(分别在673 K和723 K)固定时,Na(4d2D)粒子数密度与Na蒸气载气流量基本成线性递增关系。

研制了一台用于原子光刻的亚稳态氖原子束源,其束流强度可达3.3×1014 atoms/s?Sr..研究了束流强度的变化规律,并对其机理进行了探讨.

在束-气池构型下用脉冲激光泵浦技术测量了亚稳态Xe(～3P_0)和Xe(～3P_2)与N_2传能生成N_2(B,v)的绝对截面.并讨论了该方法在研究亚稳态原子传能及反应中的适用性.

利用基态原子无穷长的寿命以及亚稳态原子在飞行过程中的衰减,比较由激光感应荧光法测量到的钇原子束基态和亚稳态的速度分布曲线,经过拟合处理计算,得到钇原子亚稳态a2D(5/2)的寿命为(0.8±0.2)ms.

利用窄脉冲和高重复率放电的铀空心阴极灯溅射的原子作为蒸气源,用CW染料激光激发并以荧光法探测,得到了铀基态原子的衰变时间常数和正稳态原子的寿命。

提出了测量连续脉冲放电余辉期激活粒子亚稳态密度的饱和吸收方法,在两台分别作为探测光源和吸收池的溴化亚铜激光器测量系统中得到证实。观察和讨论了D(5/2)亚稳态能级布居在脉冲间隔的弛豫特性。