南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 江西 南昌 330096
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED, 我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层, 并获得明显的效率提升。在35 A/cm2的电流密度下, 主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362.3 mW, 这是截至目前报道的最高记录。通过分析表明, 其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率。本文提供了一种有效提升发光效率的方法, 尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaN LED。
绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率 green LEDs p-AlGaN interlayer (IL) external quantum efficiency V-shaped pits holes injection efficiency