1 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心，河南 郑州 450001
2 郑州唯独电子科技有限公司，河南 郑州 450001
3 郑州大学产业技术研究院有限公司，河南 郑州 450001
为改善深紫外激光二极管（DUV-LD）有源区内空穴注入效率低的问题，在传统DUV-LD结构基础上引入空穴存储层（HRL），并将HRL改为Al摩尔分数从n区到p区递减的五阶梯HRL。用Crosslight公司的Lastip软件对该HRL进行数值研究，结果表明，该结构可以获得更高的载流子辐射复合速率和更低的阈值电流。当五阶梯Al摩尔分数递减的HRL位于DUV-LD最后一层量子势垒和上波导层之间时，电子泄漏最小，器件性能得到明显改善。
激光光学 深紫外激光二极管 空穴存储层 空穴注入效率 电子泄漏 激光与光电子学进展
2022, 59(23): 2314004
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 江西 南昌 330096
基于含有V坑结构的Si（111）衬底InGaN/GaN绿光LED, 我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层, 并获得明显的效率提升。在35 A/cm2的电流密度下, 主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362.3 mW, 这是截至目前报道的最高记录。通过分析表明, 其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率。本文提供了一种有效提升发光效率的方法, 尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaN LED。
绿光LED p-AlGaN插入层（IL） 外量子效率 V坑 空穴注入效率 green LEDs p-AlGaN interlayer (IL) external quantum efficiency V-shaped pits holes injection efficiency
1 河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所, 天津 300401
2 天津市电子材料和器件重点实验室, 天津 300401
国家自然科学基金、河北省自然科学基金、天津市自然科学基金、人社部留学人员科技活动项目择优资助优秀类、河北省计划项目、河北省高校百名优秀创新人才支持计划;
光学器件 AlGaN 深紫外发光二极管 外量子效率 空穴注入效率 光输出功率 激光与光电子学进展
2019, 56(6): 060001
1 太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室, 山西 太原 030024
2 太原理工大学 新材料工程技术研究中心, 山西 太原 030024
利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED, 并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时, V形坑尺寸从70～110 nm增加至110～150 nm。当注入电流为20 mA时, LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1 mW; 当注入电流为120 mA时, LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析, 结果表明: 增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率, 进而提高LED器件的光功率。
氮化镓 V形坑 空穴注入效率 GaN LED LED V-pits hole injection efficiency
