在太赫兹频段，无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及 MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出。提出一种 300 GHz可调谐振荡器，首先，采用改进的交叉耦合双推 (Push- Push)振荡器结构，通过输出功率叠加的方法输出二次谐波 300 GHz信号，增加了振荡器的输出功率并突破了 MOS管截止频率，并通过增加栅极互连电感增加输出功率。其次，太赫兹振荡器摒弃传统片上可变电容调谐的方式，通过调节 MOS管衬底电压改变 MOS管的栅极寄生电容实现频率调谐，避免太赫兹频段引入低 Q值电容，进一步增加了输出功率。提出的太赫兹振荡器采用台积电 40 nm CMOS工艺，基波工作频率为 154.5 GHz，输出二次谐波为309.0 GHz，输出功率可达 -3.0 dBm，相位噪声为 -79.5 dBc/Hz@1 MHz，功耗为 28.6 mW，频率调谐范围为 303.5~315.4 GHz。

为实现低相位噪声平面振荡器，对推-推振荡器的共用谐振器与相位噪声优化方法进行了研究。提出一种基于多环式开口谐振环的差分传输线，通过加载一对耦合谐振环的方式实现2个单元振荡器之间的弱耦合，提高了共用谐振器的频率选择特性。基于该结构设计并实现了一种X波段推-推振荡器，在设计中采用一种基于振荡器有源品质因子的相位噪声优化方法。测试结果表明：该振荡器在输出二次谐波9.52?GHz处的相位噪声为-115.48?dBc/Hz@100?kHz，基波抑制度达到-54.55?dBc。