1 上海大学微电子学院，上海 200072
2 中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学工程部（筹），上海 201800
随着芯片特征尺寸的不断减小，借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈，使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商用极限。极紫外光刻（EUVL）采用13.5 nm的极紫外光源，被认为是下一代光刻商用化路线必需的技术。综述了激光等离子体13.5 nm EUVL光源的原理和最新进展，分别从驱动光源、靶材、收集镜等关键子系统展开介绍。讨论了激光等离子体光源进一步发展过程中需要解决的问题，如提升激发光功率、提高转换效率及延长光源寿命，特别分析了日本Gigaphoton公司和荷兰ASML公司的EUVL光源装置。
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922002
1 华中科技大学 武汉光电国家实验室, 武汉 430074
2 武汉工程大学 理学院, 武汉 430205
采用正交放置的两路CCD,基于图像采集及处理的方法,建立了极紫外光源锡液滴靶发生装置的锡液滴检测系统,可以实时监测锡液滴的运动状态及稳定性。对本实验室频率为34 kHz的锡靶发生器产生的液滴进行了锡液滴监测实验。监测结果显示,锡液滴直径约为137 μm,平均间距为375 μm,稳定性较好,并对水平面上横向稳定性进行了分析。
极紫外光源 激光等离子体 锡液滴靶 稳定性 extreme ultraviolet source laser plasma photosource tin droplet stability 强激光与粒子束
2014, 26(12): 121005
