实验研究了HIRFL-CSRm中电子冷却装置对C6+,Ar15+两种束流寿命的影响。首先, 通过对比实验的测量确定电子冷却可以有效提高束流寿命; 其次, 探究了电子冷却装置中的各项参数(主要是电子束密度分布、流强、能量、绝热展开因子)是如何影响束流寿命的, 通过改变电子束参数, 测量束流寿命的变化趋势和规律, 并且结合电子冷却相关理论对实验结果给予解释, 最终通过实验优化和确定最佳的冷却装置参数, 使束流在HIRFL-CSRm上获得了较高的寿命, 从而提高HIRFL-CSRm束流累积过程中的流强增益。

通过理论分析研究了电磁耦合型束流位置探测器(BPM)用于束流寿命测量的可行性, 并在上海光源储存环上进行了束流实验, 对其性能进行了评估。实验结果表明, 与目前常用的直流流强变压器(DCCT)系统相比, BPM给出的束流寿命具有更高的带宽和分辨力, 有利于进行不同时间尺度的束流寿命评估, 而且可以通过多个平均的方式来进一步提高测量精度。

高次谐波腔被用于同步辐射光源中拉长束团，降低束团密度，从而提高束流寿命，并且对光源亮度影响很小。理论推导了加入高次谐波腔之后的有关纵向束流动力学 方程，计算了改造后的合肥光源(HLS-II)在加入三次谐波腔时最优条件下的寿命改善因子为2.9，束团长度为45.65 mm;计算还表明束团在均匀填充模式下谐波腔中的 束流负载效应对束团拉伸的影响可以忽略。经过大量数值模拟计算，优化设计了一个带有高次模阻尼的三次谐波腔。

束流寿命是衡量储存环性能的重要参数，直接影响着光源的正常运行。对于合肥光源(HLS)，托歇克(Touschek)寿命是影响束流寿命的重要因素。为了研究Touschek寿命，需要探测由于Touschek效应所损失的电子。介绍了束流寿命的概念，说明了Touschek效应的原理和机制，利用蒙特卡罗软件EGSnrc模拟计算了丢失电子与真空壁的相互作用，通过塑料闪烁体探测器和光电倍增管获得了由于Touschek效应丢失的电子所产生的信号，然后将信号经过放大甄别和符合处理后，用计数器测量了计数率。结果表明：由于Touschek效应而成对丢失的电子的确存在，且电子损失率随流强的降低而减小。这为下一步储存环的能量标定工作做好了前期准备。