1 厦门理工学院 电气工程与自动化学院，福建 厦门 361024
2 中国科学院 福建物质结构研究所，福建 福州 350108
3 中国科学院 海西研究院 泉州装备制造研究中心，福建 泉州 362000
4 厦门市高端电力装备及智能控制重点实验室，福建 厦门 361024
激光雷达数据由于其几何特性，被广泛应用于三维目标检测任务中。由于点云数据的稀疏性和不规则性，难以实现特征提取的质量和推理速度间的平衡。本文提出一种基于体柱特征编码的三维目标检测算法，以Pointpillars网络为基础，设计Teacher-Student模型框架对回归框尺度进行蒸馏，增加蒸馏损失，优化训练网络模型，提升特征提取的质量。为进一步提高模型检测效果，设计定位引导分类项，增加分类预测和回归预测之间的相关性，提高物体识别准确率。本网络所做改进没有引入额外的网络嵌入。算法在KITTI数据集上的实验结果表明，相比于基准网络，在三维模式下的平均精度值从60.65%提升到了64.69%，鸟瞰图模式下的平均精度值从67.74%提升到70.24%。模型推理速度为45 FPS，在提升检测精度的同时满足了实时性要求。
激光点云 三维目标检测 知识蒸馏 分类置信度 laser point cloud 3D object detection knowledge distillation classification confidence
1 兰州空间技术物理研究所 空间环境材料行为及评价技术国防科技重点实验室，兰州 730000
2 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
3 中国科学院大学 材料与光电研究中心，北京 100049
为验证La掺杂对于掺铒光纤抗辐照性能的影响，采用La掺杂光纤与无La掺杂光纤进行光纤辐照实验。使用60Co辐照源在常温下对光纤进行累积剂量100 krad，剂量率6.17 rad/s的辐照实验。结果发现，La掺杂光纤在1 200 nm处损耗为0.030 67 dB（km·krad），相比于无La掺杂光纤0.039 53 dB（km·krad）更低，且La掺杂光纤在辐照环境下的增益变化更小。通过光纤吸收谱和EPR谱辐照前后的对比，确定了Al-OHC缺陷为影响光纤辐致损耗的关键因素。La掺杂可以在一定程度上代替Al作为Er离子的分散剂从而增强光纤的抗辐照能力，且La掺杂对光纤的增益性能不会产生负面影响。该研究可为后续特种光纤在空间应用中的抗辐射加固设计提供参考。
激光通信 掺铒光纤 辐射效应 γ辐照 镧掺杂 Laser communication Erbium-doped fiber Radiation effects Gamma irradiation Lanthanum doping
1 山东大学 晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
2 成都精密光学工程研究中心, 成都 610041
用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60% DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053 nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光谱并无明显变化,但是随着生长温度的降低,晶体的结构完整性变差,1053 nm激光损伤阈值降低。
DKDP晶体 温度 摇摆曲线 激光损伤阈值 DKDP crystal temperature rocking curve laser induced damage threshold 强激光与粒子束
2014, 26(1): 012006
1 东南大学 毫米波国家重点实验室， 南京 210096
2 西安空间无线电技术研究所 空间微波技术重点实验室， 西安 710100
3 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室， 西安 710049
当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富，且其数据均经过大量实验验证，具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台，完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度，在对经典Vaughan模型做了深入研究的基础上，成功地推导出产生二次电子数目的计算方法。此外，为了使经典Vaughan二次电子发射理论更便捷和完整地应用到实际工程应用当中，还对二次电子出射能量以及二次电子出射角度的计算等实际问题做了进一步的拓展性研究。数值计算结果验证了拓展后Vaughan模型算法的准确性和鲁棒性。
二次电子发射模型 Vaughan模型 电磁粒子仿真 出射能量 出射角度 secondary electron emission Vaughan model electromagnetic-particle simulation emissive energy emissive angle 强激光与粒子束
2013, 25(11): 3035
1 山东大学 晶体材料国家重点实验室， 济南 250100
2 成都精密光学工程研究中心， 成都 610041
研究了不同退火温度下磷酸二氢钾(KDP)晶体的透过光谱和损伤阈值的变化。发现热退火对晶体的透过光谱没有影响，退火温度分别为140 ℃和160 ℃时晶体的损伤阈值没有明显变化。但是在150 ℃下，晶体的损伤阈值提高了约1.4倍。实验证明150 ℃下的热退火对提高晶体的损伤阈值效果最好。
KDP晶体 热退火 透过光谱 激光损伤阈值 KDP crystal thermal conditioning transmission spectra laser damage threshold
龙岩学院物理与机电工程学院， 福建 龙岩 364000
通过晶体的吸收光谱和荧光光谱研究了Yb3+∶SrMoO4激光晶体的光谱性能。由吸收光谱得到晶体在976nm有最强吸收，该处的吸收截面为1.71×10-20cm2，吸收半峰宽为71nm。由荧光光谱得到晶体的发射峰在1021nm，发射谱带半峰宽为44nm。由倒易法计算了晶体的发射截面，计算得出晶体在1021nm处的发射截面为1.24×10-20cm2。通过拟合荧光寿命衰减曲线得到Yb3+∶SrMoO4晶体的荧光寿命为878μs。由光谱数据计算了Yb3+∶SrMoO4晶体的激光参数，计算得到饱和泵浦功率密度为4.35kW/cm2，在激光输出波长处净透过所需要激发粒子的最小分数为10.08%，最小泵浦功率密度为0.44kW/cm2。Yb3+∶SrMoO4晶体具有较大的吸收和发射半峰宽，较长的荧光寿命和较低的激光阈值，可成为一种潜在的LD泵浦激光材料，可能应用于飞秒激光及可调谐激光领域。
吸收光谱 发射光谱 激光晶体 钼酸锶 absorption spectra emission spectra laser crystals strontium molybdate
中国科学技术大学 国家同步辐射实验室， 合肥 230029
束流寿命是衡量储存环性能的重要参数，直接影响着光源的正常运行。对于合肥光源(HLS)，托歇克(Touschek)寿命是影响束流寿命的重要因素。为了研究Touschek寿命，需要探测由于Touschek效应所损失的电子。介绍了束流寿命的概念，说明了Touschek效应的原理和机制，利用蒙特卡罗软件EGSnrc模拟计算了丢失电子与真空壁的相互作用，通过塑料闪烁体探测器和光电倍增管获得了由于Touschek效应丢失的电子所产生的信号，然后将信号经过放大甄别和符合处理后，用计数器测量了计数率。结果表明：由于Touschek效应而成对丢失的电子的确存在，且电子损失率随流强的降低而减小。这为下一步储存环的能量标定工作做好了前期准备。
合肥光源 束流寿命 托歇克效应 蒙特卡罗方法 塑料闪烁体探测器 Hefei Light Source beam lifetime Touschek effect Monte Carlo method plastic scintillation detector
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029
电子束流寿命是个很重要的指标,直接影响合肥光源的正常运行,为此研究了影响束流寿命的因素,测量了高频腔压、耦合度以及束团长度对电子束流寿命的影响,研究显示合肥储存环的电子束流真空寿命和托歇克寿命相当;并且利用束损系统测量了因托歇克寿命的变化而造成束流损失的相对变化;通过增加耦合度增加束流的垂直发射度,有效地提高了束流的寿命,保证了合肥光源的正常运行.
真空寿命 托歇克寿命 腔压 耦合度 束流损失
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029
对电子储存环共振退极化标定能量的原理和步骤进行了描述,重点讨论了在合肥光源(HLS)共振退极化标定电子能量的方法中自旋响应函数的计算,给出自旋响应函数在HLS储存环一个单位周期上的分布.在将来的HLS的退极化实验中,退极化场位置处的自旋反馈函数为1.569 m,根据退极化场的计算结果,需要的退极化时间为60 s.
极化 共振退极化 自旋响应函数 束流包络 自旋共振频率
中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029
合肥光源二期工程改造的电子储存环调试过程中,发现多束团存储和运行时存在耦合束团不稳定性,严重地限制了注入的最高流强,并且影响了光源运行的质量.通过过正地增大正色品以及在储存环上插入八极磁铁,基本上抑制了横向的耦合束团不稳定性,保证了稳定注入束流300mA的技术指标.
耦合束团不稳定性 工作点分散 朗道阻尼 色品 高次模 Coupled-bunch instability Tune spread Landau damping Chromaticity High order mode
