1 商丘师范学院物理与电气信息学院, 河南 商丘 476000
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
用光谱响应测试仪得到了反射式梯度掺杂GaN光电阴极在激活和衰减过程中的光谱响应曲线, 发现此曲线不断发生变化。在激活过程中光谱响应不断提高,且长波响应提高较快;衰减过程中光 谱响应不断下降,长波响应下降得更快。结果表明:光谱响应曲线的变化与光电阴极高能光电子的 逸出有关。GaN光电阴极发射的电子能量分布随入射光子能量升高而向高能端偏移,阴极表面势垒 形状的变化对低能光激发电子的影响更大,导致光谱响应曲线随入射光波长改变而产生了不同的变化。
光电子学 光谱响应曲线 氮化镓 光电阴极 电子能量分布 表面势垒 optoelectronics spectral response curve GaN photocathode electron energy distribution surface potential barrier
基于磁荷模型，在有限差分法基础上，推导了3维永磁体数值算法，结合全3维PIC/MCC粒子模拟算法，数值分析比较了外置型和“伞状”型两种特殊形态多峰磁场对电子能量沉积的影响。模拟结果表明:二者都能对粒子起到约束作用且能过滤引出负氢离子，同时二者电子能量分布规律基本一致，都呈现了双电子能态，符合等离子体放电基本机理；外置型过滤磁场对粒子的约束能力更强，能明显产生更多的粒子，总粒子数大约是“伞状”型过滤磁场情况下的4倍;“伞状”型过滤磁场能有效地抑制由磁场不均匀所引起的电子漂移，使产生的负氢离子空间分布更均匀。模拟结果与国外实验结果基本一致。
负氢离子源 多峰磁场 电子能量分布函数 粒子模拟 蒙特卡罗 negative hydrogen ion source multi-peak magnetic field electron energy distribution function particle-in-cell simulation Monte Carlo method 强激光与粒子束
2011, 23(10): 2767
哈尔滨工业大学光电子技术研究所, 哈尔滨 150001
以准静态隧道电离理论为基础, 建立了描述圆偏振光场电离电子能量分布的简单模型。 与现有的理论计算及实验结果的比较表明, 该模型数学推导简单、 物理意义明显, 可用于研究较高电子温度和(或)较低电子密度的光场电离等离子体参数。
电子能量分布 光场电离等离子体 圆偏振光场
通过求解电子能量分布各向同性稳态玻尔兹曼方程,获得放电泵浦F2分子激光器的等离子体的电子能量分布、各种反应速率系数,有助于了解F2分子激光形成机制。
F2分子激光器 放电等离子体电子能量分布 玻尔兹曼方程 速率系数
本文采用窄带滤波器测定了CO_2-N_2放电管在CO_2激光照射下的光电流信号,并用二阶微分网络法测量了相应的电子能量分布,认为:CO_2-N_2气体放电管中,光电流信号的产生是由于处在电子激发态上的CO_2分子和N_2分子受到10.6μm激光扰动,逐级电离的速率发生变化所致。
光电流效应 电子能量分布 逐级电离 激光激发
