采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层, 采用光致荧光光谱（PL）和时间分辨荧光发射谱（TRPL）研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延（FME）法生长GaAs低温盖层的量子点质量, 结果表明, FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6ns, 明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命。
InAs量子点 量子点低温盖层 光致荧光谱 时间分辨谱 速率调制外延 InAs QDs quantum gap layer photoluminescence time-resolved photoluminescence flow-rate modulation epitaxy
中国科学院半导体研究所 材料重点实验室，北京 100086
报道并制备一种脊波导结构的大功率1.5 μm分布反馈(DFB)激光器。为了获取最大的激光器出光功率，采用上下限制层非对称的波导结构。通过模拟仿真发现，当下限制层选择为450 nm时，该激光器具有最小的内部损耗系数，同时还能保证一阶模（m=1）在量子阱区具有最小的限制因子。实际制备的管芯的损耗系数为9.78 cm-1，这与仿真中计算的损耗系数9.3 cm-1较为符合。600 mA直流电流下，制备的法布里-帕罗(F-P)腔激光器最大功率大于114 mW；255 mA直流电流下，制备的单波长DFB激光器具有45 dB的边模抑制比，40 mW输出功率，和小于400 kHz的光谱线宽。
激光器 分布反馈激光器 高功率 非对称波导盖层 中国激光
2015, 42(s1): s102012
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
设计并模拟计算了延伸波长至2.6 μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器, 即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明: 在In0.82Al0.18As厚度为200 nm且载流子浓度为2E18、InAs0.6P0.4 厚度为50 nm且载流子浓度为2E17、In0.82Ga0.18As厚度为50 nm且载流子浓度为2E16时, 探测器表现出最佳的性能。与传统PIN结构探测器相比, 其相对光谱响应度仅降低10%, 暗电流降低了1个数量级。计算分析了不同工作温度下的暗电流, 结果显示: 在120～250 K时, 暗电流主要为缺陷隧穿电流; 在250～300 K时, 暗电流主要为带间隧穿电流; 当温度大于300 K时, 暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流。
红外探测器 盖层 光谱响应度 暗电流 infrared detector APSYS APSYS cap layer responsivity dark current
北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响.本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响.结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔(△)(λ)不断减小,波形越来越密集.所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移.背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状.
PIN探测器 响应度 InP盖层 InGaAs/InP
