1 电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心, 四川 成都 610054
2 电子科技大学电子科学与工程学院, 四川 成都 610054
提出了一种基于Au/Ce∶YIG/TiN结构的磁光表面等离激元共振器件(MOSPR)。通过构建Au周期纳米盘、Ce∶YIG薄膜和TiN薄膜三层结构,实现Au纳米盘局域表面等离激元共振(LSPR)和TiN/Ce∶YIG界面传播型表面等离激元共振耦合,显著降低了LSPR的散射损耗,并实现了磁光效应的显著增强。MOSPR的横向磁光克尔效应(TMOKE)信号的绝对值达0.21。应用这一器件制备传感器,借助磁光氧化物的强磁光效应,可以显著提高LSPR传感器的品质因数(FoM)。基于TMOKE谱进行传感,器件的FoM可达2192.4586 RIU -1。该研究为高灵敏度、高FoM LSPR器件的制备提供了一种新思路。
表面光学 磁光表面等离激元 局域表面等离激元共振 横向磁光克尔效应 折射率传感器 激光与光电子学进展
2019, 56(20): 202411
1 东南大学物理系, 江苏 南京 210096
2 Department of Electronics, University of York, United Kingdom York YO10 5DD
3 海南师范大学物理与电子工程学院, 海南 海口 571158
4 南京大学电子科学与工程学院, 江苏 南京 210093
利用聚焦磁光克尔效应(MOKE)研究了不同形状单元组成的坡莫合金图形化阵列的单个单元磁化过程, 研究发现单元的形状对单元磁性有很大影响,主要是单元的退磁场和形状有很大关联。研究还发现矩形阵列 单个单元的磁滞回线不但与其矩形比有关,与单元间隔和在阵列中的阵列位置也有关。矩形单元易磁化方向 沿着其长边方向,而短边方向为难磁化方向,其形状磁各向异性随矩形比而增大。当阵列单元之间的间隔大 于单元尺寸时,在阵列中单元的位置对磁性影响相对较少,基本与单个单元的磁性相同。当单元之间的间隔 接近单元尺寸时,不同位置的单元的磁性表现出磁各向异性不同,表明单元间的磁相互作用对磁性产生影响。
激光物理 磁各向异性 聚焦磁光克尔效应 图形化阵列 化学湿蚀刻 laser physics magnetic anisotropy focused magneto-optic Kerr effect patterned film chemical wet etching
Author Affiliations
Abstract
Department of Applied Physics, Beihang University, Beijing 100191, China
A method for local magneto-optical Kerr effect imaging based on a home-made scanning near-field optical microscope working in reflection mode is presented. Shear force detection is carried out by using a symmetric piezoelectric bimorph sensor, which provides an easy way not only for probe-surface distance control but also for imaging. Polarization-preserving fiber probes used as a local optical detector are fabricated with a heating-pulling technique and the probes' polarization properties are measured. Shear force topographic and near-field magneto-optical images of magneto-optical disk taken with the proposed method are shown.
磁光克尔效应 扫描近场光学显微镜 光纤探针 磁畴 180.4243 Near-field microscopy 210.3810 Magneto-optic systems 190.3270 Kerr effect Chinese Optics Letters
2010, 8(3): 313
飞秒激光抽运探测在超快磁动力学的研究中有十分广泛的应用。当前在超快磁动力学的研究中，根据抽运光对样品激发方式的不同，主要分为两类： (1)光激发下的磁动力学；(2)磁场激发下的磁动力学。介绍了这两种激发模式下的磁动力学的最新研究进展，并对未来的研究方向进行了展望。
飞秒激光 抽运探测 磁动力学 磁光克尔效应
1 山东大学物理与微电子学院, 济南 250100
2 复旦大学光科学与工程系, 上海 200433
研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱, 发现通过调制样品成分和退火处理, 可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强, 克尔角最大值达到0.72°, 这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系。
磁光克尔效应 磁性半导体 纳米复合体系
复旦大学,光科学与工程系先进光子学材料与器件国家重点实验室,上海,200433
磁光存储技术是一种颇受关注的下一代光存储技术.为提高单个磁光光盘的存储容量,途径之一是采用多值存储、多波长读出技术,实现所谓三维磁光存储.通常使用不同波长的蓝光来实现信号的读写操作.如果不同波长的激光在磁光存储多层膜中产生热场分布的差异较大,将有利于提高读出信号的信噪比.本文结合光学矩阵法及有限元方法分析了中间夹层分别为SiN、GaP时,磁光存储多层膜的热光特性.结果表明在蓝光波段,用GaP层替代传统的SiN中间夹层,将使磁光光盘具有更好的热光特性.
磁光存储 薄膜光学 磁光克尔效应. magneto-optical storage thin film optics magneto-optical Kerr effect
陈辰嘉 1,2,3,4王学忠 1,2,3,4蔡明 1,2,3,4吴克 1,2,3,4[ ... ]A.Stella 6,7
1 北京大学
2 物理系
3 北京
4 100871
5 Department of Physical Chemistry, University of Pavia, Ⅰ-27100 Pavia
6 Italy）
7 INFM-Dipartimento of Fisica",A.Volta", dell' Universita, Ⅰ-27100 Pavia
用超高真空蒸发技术在GaAs(100)和玻璃衬底上生长不同厚度Mn/Sb多层膜,并经短时间热退火(～1,20min).磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性.当多层膜厚度从700A增至1600A时,饱和强度增加了近一倍,极向和纵向克尔角也增加了,但不到一倍.这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度,但不是简单的正比于厚度的关系.增加Mn/Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角.X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn/Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长,对较厚的多层薄膜,热退火的时间可很短(约1min).
多层膜 铁磁性 磁光克尔效应 退火 X射线衍射 multilayer films ferromagnetism magneto optical Kerreffect annealing X ray diffraction
利用超高真空电子束蒸发技术在GaAs(100)上生长Mn/Sb多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律.退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性,其易磁化轴在膜面内,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成,未能观测到纵向(H∥平面)克尔效应.经350℃、20min退火的样品显示了最大饱和磁化强度Ms和最小矫顽力Hc,X射线衍射测量表明膜为MnSb单晶并具有均匀的铁磁特性,能观测到显著的极向和纵向磁光克尔效应,其随磁场变化表现出相应于磁化强度的磁滞行为.
薄膜 退火 铁磁性 磁光克尔效应. films annealing ferromagnetic properties magneto- optical Kerr effect.
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
利用琼斯矩阵分析了双光束磁光存贮中信号读出系统偏振态的传输情况,推导了读出信号的表达式,分析了偏振分束镜与光盘盘基的相位延迟对读出信号的影响。
相位延迟 偏振 琼斯矩阵 磁光克尔效应
