中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
HgMnTe是一种典型的Mn基II-VI族窄禁带磁性半导体材料, 已 成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入, HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用： d-d交换和sp-d交换, 导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday 旋转效应、光致磁化效应和磁极化子效应等特殊光电特性和磁学特性。因此, HgMnTe材料具有许多潜在应用, 如磁 控光电子器件、量子计算和量子通讯, 并可能是实现自旋电子学的一种候选材料。
磁性半导体 磁交换作用 自旋电子学 HgMnTe HgMnTe semimagnetic semiconductor magnetic interaction spintronics
1 山东大学物理与微电子学院, 济南 250100
2 复旦大学光科学与工程系, 上海 200433
研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱, 发现通过调制样品成分和退火处理, 可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强, 克尔角最大值达到0.72°, 这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系。
磁光克尔效应 磁性半导体 纳米复合体系
1 山东师范大学半导体所, 济南 250014
2 山东师范大学计算机中心, 济南 250014
用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙Eg随着Fe2+成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.Eg=2.722-2.2x(eV).
稀释磁性半导体 光学能隙 吸收系数
