为了研究表面微结构成型质量的影响因素, 设计并制备了3种深宽比的微正四棱柱结构, 并对聚合物材料、微结构深宽比、脱模工艺参数、镍模芯表面抗黏处理等影响因素进行注射成型脱模实验研究。首先, 采用PP, COC, PMMA等材料研究了获得目标深宽比微结构的难易程度。以PP材料为例分析了在3种深宽比下的脱模成型质量, 分别从保压压力、脱模温度两方面讨论对脱模变形的影响。最后, 分析比较镍模芯经过抗黏处理前后成型的微结构形貌尺寸。PP能够顺利获得近似目标深宽比的微结构, COC脱模后微结构发生折断变形, 高度平均只有17.0 μm左右, PMMA成型后微结构也发生断裂且黏附在模芯微孔中。脱模变形随着深宽比的增加而趋于严重, 且当深宽比较大时, 微结构易发生倾斜变形。提高保压压力, 微结构平均高度从约25.0 μm增加到约87.0 μm, 但当保压压力过高时微结构出现翘曲变形; 随着脱模温度的升高, 保留完整的微棱柱比例分别为55%, 60%, 30%, 10%。镍模芯经过抗黏处理后所成型微结构的尺寸更加接近目标值。COC由于本身断裂伸长率较小而具有较大的脆性, 而PMMA本身的表面能较大则具有较强的黏附性。深宽比增加使得脱模时微结构顶部黏附力与后期摩擦力均会增加。合理增加保压压力、降低脱模温度与镍模芯经过抗黏处理均能有效提高脱模成型质量, 但过高的保压压力会造成微结构内应力增加, 产生翘曲。

为改善普通马赫-曾德尔干涉仪滤波器的滤波性能，将微环谐振器与马赫-曾德尔干涉仪相结合，设计出一种新型滤波器结构。利用信号流程图理论推导出滤波器传递函数，并对其输出端口透射谱进行仿真分析。仿真结果表明：当微环谐振器周长(L1和L2)与马赫-曾德尔干涉仪上下臂臂长差Δd满足如下关系：L1=2L2=Δd时，滤波器输出光谱顶部平坦，边沿陡峭，形状类似于“方形”。通过数值计算，取微环谐振器周长L1=1 510 μm时，滤波器的自由光谱范围为2 nm、3 dB带宽为1.15 nm、精细度达到1.74、品质因子为1 347.82。文章提出的微环辅助马赫-曾德尔干涉仪型滤波器的滤波性能与普通马赫-曾德尔干涉仪滤波器相比有了明显改善。选择光电特性优良的聚合物材料设计微环谐振器和马赫-曾德尔干涉仪，当施加在滤波器上的电压发生变化时，滤波器输出光谱向右漂移，可以满足不同的滤波需求。

通过原位合成法以聚乙烯醇辅助合成了6.5 nm、10 nm和15 nm的PbSe量子点, 研究了掺杂PbSe量子点的光致聚合物的全息特性.将三种尺寸的PbSe量子点按不同浓度分别掺入光致聚合物中, 制成无机-有机复合型光致聚合物膜, 并对其全息性能进行研究.复合聚合物膜的UV-Vis吸收光谱表明掺入的PbSe量子点并未与聚合物中的有机组分发生化学反应.采用氩氪离子激光器输出的647 nm红光研究了复合聚合物膜的透过率和全息记录光栅的布喇格偏移与衍射效率.透过率曲线表明PbSe量子点在复合聚合物膜中分散良好, 膜表面均匀.由于PbSe量子点在聚合物链中起支撑作用, 复合聚合物膜在全息记录过程中不易发生形变, 从而增加了聚合物膜的抗缩皱能力.衍射效率曲线表明掺入PbSe量子点的复合聚合物膜的衍射效率比未掺杂的有所提高.此外, 体系存在一个最优值, 当掺入平均粒径为10 nm且浓度为3.6×10-6 mol/L的PbSe量子点时, 样品的透过率达到84%, 衍射效率从67.2%提升到89.7%, 缩皱率降低到0.8%, 极大提高了材料的全息性能.

光折变聚合物材料与光折变晶体相比，其非线性光学系数大，响应时间快，成本低廉，制备灵活，有可能成为制作光子学集成器件的材料。简要介绍了光折变聚合物材料在图像识别、光信息存储及光学相干层析技术等方面的应用情况，指出光折变聚合物材料中存在光子带隙。最后预测了光折变聚合物材料作为光子晶体在光子学器件中的应用前景。

光折变聚合物材料是一种具有良好的光学处理能力的非线性光学材料,近年来引起了研究者的广泛关注.简要介绍了光折变聚合物材料在自相位共轭及光信息存储等方面的应用,并指出光折变聚合物材料中存在光子带隙,预测了光折变聚合物材料有可能作为光子晶体来应用.

介绍了采用单环微谐振器的光滤波器的基本原理,详细介绍了旋转抛涂法、真空蒸发法、光刻及反应离子刻蚀法等制备微环谐振器的工艺过程。波导包层材料采用甲基丙稀酸甲酯-甲基丙稀酸环氧丙酯共聚物,以双酚A环氧树脂为高折射率调节剂,采用二者在共聚物中的不同配比来调节芯层材料的折射率。最后给出了实验结果。