利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元，制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元，它们有着不同的电极形状。通过不断优化分子束外延的生长条件，以期得到高质量的GaSb外延层。AFM图中显示的表面形貌表明器件有着高质量的外延层，其表面形貌的RMS只有1.5 Å （1 Å=0.1 nm）。测量和比较了两种热光伏电池的器件特性，包括开路电压、短路电流密度、光电转换效率、填充因子以及暗电流密度。在一个模拟太阳光照射下，热光伏电池单元有着0.303 V的开路电压和27.1 mA/cm²的短路电流密度。和只有简单电极形状的热光伏电池单元进行对比，有栅形电极形状的热光伏电池单元在短路电流密度和填充因子上具有更优异的表现。在红外光的照射下，有栅形电极形状的热光伏电池达到了一个最优的填充因子56.8%。

2~4 μm波段是非常重要的红外大气窗口，工作在这个波段的激光器在气体检测，医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值。锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的独特优势，是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系。近年来，国内外锑化物半导体激光器研究不断取得重要进展，先后实现了量子阱发光的波长拓展、大功率单管和阵列激光器的室温连续激射，也实现了多波段的单模激光器的室温连续工作。锑化物半导体低维材料组分复杂、界面钝化性质特殊，材料外延和工艺制备技术难度较大。文中从锑化物半导体激光器的基本原理出发，综述了国内外研究现状，介绍了锑化物材料低维结构激光器的设计方案、关键制备技术的主要进展，分析了今后该类激光器性能优化的重点研发方向等。