在（211）B碲锌镉衬底上，采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料，通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺，实现中长双色640×512 红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明，表面宏观缺陷（2~10 μm）密度统计分布约773 cm-2，同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽（FWHM）测试和位错腐蚀坑（EPD）统计，XRD测试FWHM约31.9 arcsec，EPD统计值约为5×105cm-2；双色器件芯片台面刻蚀深度达到8 μm以上，深宽比达到1∶1以上，侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明，中波波长响应范围为3.6~5.0 μm，长波波长响应范围为7.4~9.7 μm，中波向长波的串音为0.9 %，长波向中波的串音为3.1 %，中波平均峰值探测率达到3.31×1011 cm·Hz1/2/W，NETD为17.7 mK；长波平均峰值探测率达到6.52×1010 cm·Hz1/2/W，NETD为32.8 mK；中波有效像元率达到99.46%，长波有效像元率达到98.19 %，初步实现中长双色红外焦平面组件研制。
中长双色 碲镉汞 分子束外延 等离子体刻蚀 串音 MW/LW dual-band HgCdTe molecular beam epitaxy（MBE） plasma etch cross-talk
本文系统地介绍了国内外研究机构对超晶格界面进行研究时采用的测试分析手段。其中, 通过拉曼光谱、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、扫描隧道显微镜(STM)、二次离子质谱(SIMS)、 X射线光电子能谱(XPS)等测试方法可以对 InAs/GaSb II类超晶格材料界面类型、界面粗糙度、陡峭性等特性进行测试分析, 从而评估超晶格界面质量。光致发光谱(PL谱)、高分辨率 X射线衍射(HRXRD)、霍尔测试、吸收光谱等测试方法则可以研究超晶格界面质量对超晶格材料能带、晶体质量、光学性质的影响。
InAs/GaSb II类超晶格 InSb-like界面 GaAs-like界面 陡峭性 InAs/GaSb type-II superlattice, InSb-like interfac
近几年，二类超晶格红外探测器在材料生长、器件结构设计、器件制备上经历了快速的发展，使得二类超晶格成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要介绍了二类超晶格的优势，总结了国际上二类超晶格红外探测器研究进展，回顾了二类超晶格红外探测器的技术发展历程，并分析了国内二类超晶格材料与器件中存在的技术问题。
二类超晶格 红外探测器 焦平面 type II superlattices, infrared detector, focal-pl
本文系统地介绍. MBE外延生长 InAs/GaSb II类超晶格材料的界面控制方法，主要包括生长中断法、表面迁移增强法、V族元素浸润法和体材料生长法。短波(中波)InAs/GaSb超晶格材料界面采用混合(mixed-like)界面，控制方法以生长中断法为主；长波(甚长波)超晶格材料界面采用 InSb-like界面，控制方法采用表面迁移增强法(migration-enhanced epitaxy, MEE)或 Sb soak法及体材料生长相结合。讨论分析. InAs/GaSb超晶格材料界面类型选择的依据，简述了界面控制具体实施理论，以及相关研究机构对于不同红外探测波段的超晶格材料界面类型及控制方法的选择。通过界面结构外延生长工艺设计即在界面控制方法的基础上进行快门顺序实验设计，有效地提高界面层的应力补偿效果，这对于长波、甚长波及双色(甚至多色)超晶格材料的晶体质量优化和器件性能提升具有重要意义。
InAs/GaSb II类超晶格 InSb-like界面 GaAs-like界面 生长中断法 InAs/GaSb type II superlattice, InSb-like interfac MEE
碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料，分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、原位成结等优势，是第三代红外焦平面陈列(FPA)器件研制的重要手段。本文报道了昆明物理研究所分子束外延（MBE）MCT薄膜技术进展，包括材料结构、晶体质量、表面缺陷、材料均匀性、掺杂浓度等参数优化控制的研究结果。异质衬底、碲锌镉衬底上MCT薄膜尺寸分别为4英寸(10.16 cm)及2.5 cm×2.5 cm，材料EPD值分别在1×106 cm-2附近及(3~30)×104 cm-2范围，表面宏观缺陷密度分别在30 cm-2附近及100~300 cm-2范围，薄膜质量与国内外先进水平相当。采用分子束外延MCT薄膜实现了2 048×2 048中波红外（MWIR）、2 048×2 048短波甚高分辨率红外（SWIR）焦平面、640×512中短双色红外（S-MWIR）、320×256中中双色红外（M-MWIR）FPA探测器的研制和验证。
分子束外延 碲镉汞 碲锌镉衬底 异质衬底 红外探测器 molecular beam epitaxy（MBE） HgCdTe CdZnTe substrate alternative substrate IR dector
空军工程大学航空机务士官学校, 河南 信阳 464000
针对传统空空导弹攻击区解算过程中解算精度和速度的矛盾, 提出了基于自适应步长黄金分割法的边界搜索方法, 在建立导弹和目标三自由度弹道模型的基础上, 引入脱靶量为自适应变量, 对传统黄金分割法步长进行改进。仿真结果表明, 该算法可在部分提高攻击区解算速度的前提下, 较大程度提升计算精度, 满足机载火控系统攻击区解算的实时性和精度要求。
空空导弹 火力控制系统 攻击区解算 黄金分割法 自适应步长 air-to-air missile fire control system attack area calculation golden section method adaptive step-size
针对CAV再入标准轨迹制导问题, 提出了一种新的基于模糊滑模的纵向轨迹制导方案, 根据CAV状态模型的特点和模糊系统设计要求, 对其纵向运动学方程进行了简化处理, 设计了模糊逼近+切换控制律补偿的控制器, 利用模糊系统的万能逼近特性来对倾侧角增量进行逼近, 用切换控制率来补偿逼近误差。仿真验证了该方案能够实现对纵向轨迹的精确跟踪, 且具有较好的鲁棒性和实时性。
高超声速 标准轨迹制导 模糊逼近 切换控制律 误差补偿 hypersonic velocity standard trajectory guidance fuzzy approximation sw让ching control law error compensation CAV CAV
1 云南师范大学 太阳能研究所, 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 云南省农村能源工程重点实验室, 云南 昆明 650500
2 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
3 中国科学技术大学 量子信息与量子科技前沿协同创新中心, 安徽 合肥 230026
系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低, Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层, 生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时, 生长得到低缺陷表面的低温GaSb薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1.
低缺陷 锑化镓 原子力显微镜 V/III比 low-defect GaSb AFM V/III
